根據國際器件和系統路線圖(IRDS2023),在集成電路邏輯技術領域,互補場效晶體管(CFET)是繼FinFET和水平GAA之后的下一代晶體管架構。CFET技術通過將NMOS與PMOS器件垂直堆疊,改變傳統平面工藝或FinFET/GAA的水平布局模式,在更小的空間內實現更高的集成密度和更佳的性能。近日,微電子所基于自主研發的垂直溝道技術,提出和研制...
堆疊納米片全環繞柵(GAA)晶體管具有極佳的柵控特性、更高的驅動性能以及更多的電路設計靈活性,是主流集成電路制造繼FinFET之后的核心晶體管結構。目前,三星電子(Samsung)、臺積電(TSMC)與英特爾(Intel)等半導體巨頭已經或者即將在3納米及以下技術節點采用該器件進行工藝量產。然而,目前報道的堆疊納米片GAA器件存在溝道...
金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)是推動大規模CMOS集成電路按照“摩爾定律”持續微縮并不斷發展的核心器件。近十幾年,為突破更小技術節點下的微縮挑戰,晶體管結構創新成為了技術發展的主要路徑,從平面晶體管演進到鰭式場效應晶體管,再到最新3nm技術節點下的堆疊納米溝道全環繞柵極FET(GAAFET),通過晶體管內部溝道...
為解決現代計算系統中（如云計算和人工智能）的“內存墻”帶寬局限、高效計算瓶頸和制造工藝尺寸微縮等問題，一種結合新型非晶態氧化銦鎵鋅（IGZO）薄膜材料的無電容（2T0C）DRAM結構，有望取代傳統1T1C DRAM成為關鍵性的新興技術路線。目前，大量研究工作集中于通過器件結構和工藝優化來提升IGZO 3D DRAM的保留時間和操...
在先進集成電路制造工藝中, 納米環柵器件（GAA）正取代FinFET成為集成電路中的核心器件。垂直納米環柵器件由于其在減小標準單元面積、緩解柵極長度限制、提高集成密度和改善寄生電容/電阻等方面具有獨特優勢, 成為先進邏輯和DRAM技術方面的重要研究方向。微電子所集成電路先導工藝研發中心朱慧瓏研究團隊于2016年首次提...
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