近日，中科院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心王文武/李永亮課題組在鍺硅高遷移率溝道器件技術與集成工藝研究領域取得了階段性進展。課題組提出了一種在三層應變緩沖層（ SRB ）上外延鍺硅材料的技術，并通過鍺硅鰭（ Fin ）刻蝕、新的淺槽隔離（ STI ）工藝等關鍵模塊研發，成功實現了50%鍺硅Fin的導入集成，為鍺...
近日， 2018國際電子器件大會（ IEDM ）在美國舊金山召開。會上，微電子所劉明院士科研團隊展示了28納米嵌入式阻變存儲器可靠性優化以及基于HfZrO鐵電FinFET器件的最新研究成果。針對先進工藝節點的嵌入式存儲器缺失問題，劉明院士團隊與殷華湘研究員合作提出了基于HZO鐵電FinFET的混合存儲器件。基于HfZrO2鐵電材料的Fi...
近日，中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心在面向5納米以下技術代的新型硅基環柵納米線（ Gate-all-around silicon nanowire ， GAA SiNW ） MOS器件的結構和制造方法研究上取得重要進展。針對上述納米線晶體管架構在集成電路發展應用中所面臨的難題，殷華湘研究員研發團隊提出在主流硅基FinFET集成工藝基礎...
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