中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)中心（以下簡稱“先導中心”）是面向國家集成電路行業(yè)重大需求，按照工業(yè)界研發(fā)標準設(shè)計和建設(shè)，采用產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)模式進行管理，并由國際化研發(fā)團隊運作的國家級研發(fā)中心。先導中心擁有一條完整的8吋集成電路先導工藝研發(fā)線，并兼容硅基光子器件、硅基MEMS器件等集成技術(shù)研發(fā)。研發(fā)線具備10納米電子束光刻的研發(fā)能力和180納米光學光刻的量產(chǎn)技術(shù)。先導中心現(xiàn)有150名研發(fā)人員，其核心團隊來自世界著名的集成電路研發(fā)機構(gòu)，擁有超過10年的研發(fā)和科研管理經(jīng)驗。其工程師團隊均有5年以上的工業(yè)界研發(fā)或生產(chǎn)經(jīng)驗，另有在讀博士、碩士研究生100余人。

作為我國集成電路先導工藝研究領(lǐng)域的中堅力量，先導中心面向未來5-10年集成電路技術(shù)的基礎(chǔ)創(chuàng)新需求以及超前國內(nèi)企業(yè)量產(chǎn)技術(shù)2代以上的技術(shù)探索和儲備需求，聯(lián)合北京大學、清華大學、復(fù)旦大學、中芯國際、武漢新芯等產(chǎn)學研用單位開展聯(lián)合研發(fā)，主要四大研究方向包括：

1、 集成電路創(chuàng)新技術(shù)

2、 集成電路計算光刻與設(shè)計優(yōu)化

3、 光子器件與集成技術(shù)

4、 MEMS器件及系統(tǒng) 　　

在國家02科技重大專項的支持下，通過10年攻關(guān)，先導中心實現(xiàn)了22納米CMOS、高 k柵介質(zhì)/金屬柵工程、16/14納米技術(shù)節(jié)點的FinFETs、5納米及以下納米線和堆疊納米片器件等關(guān)鍵技術(shù)的突破，研究水平邁入世界前列；提出了“專利指導下的研發(fā)戰(zhàn)略”，在關(guān)鍵工藝模塊上形成了較為系統(tǒng)的知識產(chǎn)權(quán)布局（專利2024項，含國際專利607項），部分關(guān)鍵專利被Intel、IBM、臺積電、三星等國內(nèi)外半導體領(lǐng)先企業(yè)廣泛引用和部分應(yīng)用。其中，F(xiàn)inFET等關(guān)鍵技術(shù)位居國際先進行列，被國家知識產(chǎn)權(quán)局評為專利發(fā)明金獎。科研成果首次實現(xiàn)了向國內(nèi)大型集成電路制造與裝備企業(yè)的專利技術(shù)轉(zhuǎn)移和轉(zhuǎn)化。先后獲得“國家技術(shù)發(fā)明二等獎”、“中科院杰出成就獎”等多項獎項。目前與中芯國際等企業(yè)緊密合作，開展了針對新一代7納米FinFET先導產(chǎn)品工藝的研發(fā)，并組織國內(nèi)優(yōu)勢科研單位開展了面向5納米及以下技術(shù)節(jié)點的先導技術(shù)研究。