研究內(nèi)容：
面向版圖的設計工藝協(xié)同優(yōu)化是計算光刻的拓展和延伸，聚焦先進節(jié)點良率導向的設計與制造方法協(xié)同優(yōu)化，以提升設計能效、拓展工藝窗口、改善良率為目標，貫通物理設計布局布線、光刻友好設計、熱點圖形檢測及修復、標準單元評估、工藝波動良率分析、并行計算加速等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，開發(fā)模型及算法，實現(xiàn)EDA+AI工具以推動設計工藝的多維協(xié)同創(chuàng)新，打造面向版圖優(yōu)化需求、協(xié)同集成電路國產(chǎn)供應鏈研發(fā)、支撐國內(nèi)先導工藝研發(fā)的DTCO平臺。
研究成果：
協(xié)助國內(nèi)領(lǐng)軍芯片企業(yè)實現(xiàn)14/12納米工藝國產(chǎn)化，達到預期良率；研發(fā)的協(xié)同優(yōu)化流程被領(lǐng)軍芯片企業(yè)確定為新節(jié)點產(chǎn)品設計的標準流程，版圖缺陷預測技術(shù)于國內(nèi)12nm節(jié)點芯片應用，預測模型準確率達到預期，形成2款點工具。相關(guān)論文在DATE、TCAD等發(fā)表，研究成果支撐了國家科技重大專項、中科院先導項目、重點研發(fā)計劃、國家自然科學基金以及企業(yè)合作項目等項目。
