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射頻芯片及IP核
 研究內容:
        面向5G/6G通信、衛星通信、低成本片上雷達等系統對射頻毫米波芯片及IP核的需求,在國家科技重大專項、國家自然科學基金等國家級和省部級項目支持下,開展低噪聲放大器、功率放大器、壓控振蕩器和鎖相環等單元電路以及硅基毫米波相控陣、射頻收發機等射頻SoC芯片研究。
 
 
研究成果:
      基于標準CMOS工藝、RF-SOI CMOS工藝以及SiGe BiCMOS等硅基工藝,開發完成多款寬帶射頻毫米波芯片,包括首款符合中國單載波超寬帶標準的6-9GHz超寬帶射頻收發芯片,該芯片支持500MHz帶寬,與清華大學合作完成芯片系統驗證并開展產業化應用;與華為海思合作開發完成60GHz CMOS毫米波射頻收發芯片,該芯片的相關核心IP授權給華為使用; 開發完成28GHz/39GHz 5G毫米波相控陣前端芯片,并與中國信息通信科技集團合作完成5G毫米波小基站驗證。同時將開發的芯片進行IP化,具體包括功率放大器、低噪聲放大器、開關、數控移相器、數控衰減器、濾波器等。通過射頻器件IP核研究,化繁為簡,縮短大規模系統芯片設計周期,提高系統芯片可靠性,快速地進行設計復用和創新迭代。
 
 
 
科研成果:獲得中國通信學會技術發明一等獎,在IEEE Transaction等期刊和國際會議發表論文50余篇,獲得授權發明專利30余項,參與制定國家標準2項,國際標準1項。