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新型器件工藝PDK與設計參考流程
研究內容:
      碳基/MOS2/CFET器件模型PDK,高性能/低功耗標準單元庫/IO/SRAM,3D 集成電路物理設計參考流程。
 
研究成果:
      研發了兼容不同數據標準的PDK/iPDK/oaPDK模型模板,包括大陸首套iPDK;研發數字/模擬/高壓/射頻/存儲/碳管等近20套先導工藝的PDK,進入設計企業成功流片;支撐了國家科技重大專項、北京市科委、國際合作項目,以及企業合作項目等十余項目。