傳統的電化學儲能器件構型主要是通過將隔膜夾在兩個電極之間并注入電解液來構造的，即隔膜位于兩個電極之間，但三者之間是處于相互分離的狀態。一體化構型，是指將儲能器件的主要構件（正、負極、隔膜）通過較強的相互作用集成為一個整體，使得相鄰組件之間實現連續無縫連接，保證了彎曲狀態下離子和電子的穩定傳輸。因...
美國俄亥俄州立大學聲稱氧化鎵（ β - Ga2O3 ）橫向晶體管的功率品質因數最高，為376MW / cm2 。研究人員使用了由鈦酸鋇（ BaTiO3 ）構成的絕緣體，該鈣鈦礦氧化物結合了極高的介電常數和高擊穿場強（ > 8MV / cm ） 。研究人員在以極限k BaTiO3為絕緣體的β - Ga2O3上制造了橫向金屬-絕緣體-半導體場效應晶體管（ MISFE...
便攜式智能器件與長續航電動汽車的發展，對可充電的二次電池的能量密度提出了更高的要求。當鋰負極與硫正極相匹配時，組成鋰硫電池的容量高達2600 Wh kg-1 ，這將適用于未來高能量密度需求的電動汽車。在前期的硫正極研究中，從納米材料結構設計與表面功能化出發（ Journal of Power Sources .,制備出不同的活性納米催化...
武漢大學報告稱，與在圖案化藍寶石上生長的類似器件相比，在用圖案化藍寶石與二氧化硅陣列（ PSSA ）襯底上生長的氮化銦鎵（ InGaN ）藍色發光二極管（ LED ）的光輸出功率提高了16.5 ％ 。這項工作表明，在高分辨率顯示器的高性能LED的開發方面邁出了重要的一步。其他潛在的應用可能來自可見光通信（ VLC ） 、汽車前照...
美國普渡大學和Sonrisa Research公司報告稱其研究的4H多型碳化硅（ SiC ）垂直功率三柵金屬氧化物半導體場效應晶體管（ MOSFET ）比溝道電阻顯著降低，這種新型MOSFET集成了亞微米FinFET通道。三柵極MOSFET的制造順序概述： （ a ）注入p型基極和n +源極區域，蝕刻溝槽,沉積柵極氧化物和多晶硅柵極,圖案化多晶硅柵極,形...
作為多年技術和制造合作伙伴關系的一部分，美國加利福尼亞州的Ayar實驗室已經在基于GlobalFoundries的45納米CMOS制程工藝的下一代光子學解決方案上展示了其專利單片電子/光子解決方案。這是一個行業首創，為人工智能（ AI ） 、高性能計算（ HPC ） 、云、電信和航空航天等數據密集型應用提供大規模芯片到芯片光學連接，...
近日，中國科學院大連化學物理研究所分子反應動力學國家重點實驗室研究員袁開軍團隊，與北京航空航天大學教授李介博、燕鑫合作，在MXene （ Ti3C2Tx ）氧化界面熱傳遞研究方面取得新進展。研究工作得到國家自然科學基金委動態化學前沿研究中心項目、中科院戰略性先導專項（ B類） “能源化學轉化的本質與調控” 、國家自...
近日，中國科學院合肥物質科學研究院強磁場科學中心超導與關聯電子材料研究團隊、北京應用物理與計算數學研究所研究員張平，以及北京郵電大學博士楊巍等合作，在1T ' - WTe2體系中理論研究了刪極電壓調控超導電性的機理以及物性。相關研究成果發表在Physical Review Letters上。分析發現這些特定動量對應最優的費米面嵌...
近年來，有機無機雜化鈣鈦礦太陽能電池發展迅速，其光電轉化效率從3.8%發展到目前25.5%的認證效率，被視為最具有應用潛力的新型高效率太陽能電池之一。雖然鈣鈦礦太陽能電池具有較高光電轉換效率，可與多晶硅薄膜電池媲美，但電池的長期穩定性未達到商業化要求。產生的缺陷可捕獲光生載流子，限制載流子的擴散，降低載流...
近日，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員邸江濤等與佐治亞理工學院教授Ching-ping Wong合作，設計并制備出鋅摻雜氧化銅納米線（ Zn-CuO ）三維陣列結構，為電化學活性物質MnO2提供導電支架，獲得高負載的MnO2納米片材料。將生長在銅線表面的Zn-CuO @ MnO2材料用于同軸非對稱纖維型超級電容器正極材料，獲得...
香港科技大學使用氮氧化鎵（GaON）表面增強層（SRL）來提高p型柵極GaN溝道功率高電子遷移率晶體管（HEMT）的柵極電壓窗口和長期可靠性。與其他有關p-GaN HEMT的報告相比，該設備在10年的使用壽命中提供了最高的最大柵極電壓。對于p-GaN柵極HEMT，研究人員使用了專為E模式p-GaN柵極功率HEMT設計的6英寸硅上GaN（GaN/Si）...
根據Yole預測，碳化硅（ SiC ）器件市場估計將以30 ％的復合年增長率（ CAGR ）增長，從2019年的2.25億美元增長到2025年的超過25億美元SiC技術正在贏得許多客戶的青睞，并滲透到各種應用中。在電動汽車相關的應用的推動下，用于電力電子應用的SiC在未來五年會表現出強勁增長。由于COVID-19大流行， 2020年上半年電動汽車...
近年隨著扭轉角在魔角范圍（ ~ 1.1 ° ）的雙層石墨烯中新奇量子現象的發現，扭轉雙層石墨烯的研究愈發受到關注。常規雙層石墨烯是通過AB堆垛形成的穩定結構，而對于扭轉雙層石墨烯，其表面會展現出摩爾條紋超晶格，且該超晶格周期與雙層石墨烯能帶結構會隨著扭轉角度的變化而改變。目前，實驗室小扭轉角雙層石墨烯多是...
近期，中國科學院上海光學精密機械研究所微納光電子功能材料實驗室在利用隨機森林算法實現二維材料層數和缺陷識別研究中取得新進展，揭示了機器學習算法在二維材料光譜學研究領域的應用潛力。隨著大數據技術的快速發展，以數據驅動的機器學習算法在材料研究領域蓬勃興起。當有新的樣本點進入模型進行預測和判斷時，隨機...
近期，中國科學院上海光學精密機械研究所薄膜光學實驗室在調控氧化銦錫（ ITO ）薄膜光電特性研究中取得進展，利用高效、可選擇性的準連續（ QCW ）激光退火技術對ITO薄膜載流子進行調控，在基本不改變ITO薄膜導電特性的前提下，實現ITO薄膜近紅外波段透過率的顯著提升。高載流子濃度使ITO薄膜具有良好導電性的同時，也...
近年來，鐵基高溫超導體作為自賦性拓撲超導體，引起了科研人員的興趣。理論研究表明，鐵基高溫超導體是一個理想的實現Majorana零能模的體系?？蒲腥藛T在多個鐵基材料表面觀測到Majorana零能模，揭開了在鐵基超導體系中探尋Majorana零能模的序幕，這使鐵基超導體可能成為拓撲計算的載體。最近，中國科學院物理研究所/北京...
微納制造技術的快速發展為納米光子器件、光學電路、光電探測器等提供了多樣的設計和應用空間。作為光學接口的3D波導納米結構是納米光子應用的基本互連單元，光子元器件被集成在芯片的有限區域乃至復雜曲面上。因此，在曲面上實現具有精確形貌和組分微納米結構的設計與制造，對于新型結構光電器件的發展具有重要意義。近...
美國伊利諾伊大學已經實現了硅基的單片磷化銦（ InP ）量子點（ QD ）技術，相對于在砷化鎵（ GaAs ）上生長的結構而言，其光致發光（ PL ）強度僅降低了一點。該團隊表示有望將InP QD用于微型發光二極管（ micro-LED ）和激光器。基板由GaP / Si和4.3 μ m的GaAsyP1 - y逐步梯度緩沖液組成，將GaAs / Si材料切割成較小...
中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員尤立星團隊利用無損介質鏡面結合三明治結構超導納米線，實現了NbN材料超導納米線單光子器件（ SNSPD ） 98%的探測效率，再次創造了NbN SNSPD探測效率的新的世界紀錄。2019年，研究人員發明了離子注入等手段，首次打破了NbN本征探測效率和吸收效率的制衡關系，再次實現了90%探...
鐵電材料在強激光作用下，孕育和產生了具有重要應用前景的物理性質，如聲光、電光和反常光學效應等，逐漸發展成為新一代光電子器件的有力候選者。其中，具有多光子吸收效應的鐵電體在生物成像、頻率上轉換激光和光限幅等方面具有潛在應用。然而目前，學界針對鐵電材料的研究以雙光子吸收為主，基于鐵電材料實現更高階的...
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