美國伊利諾伊大學已經實現了硅基的單片磷化銦（InP）量子點（QD）技術，相對于在砷化鎵（GaAs）上生長的結構而言，其光致發光（PL）強度僅降低了一點。該團隊表示有望將InP QD用于微型發光二極管（micro-LED）和激光器。

　　研究人員使用固體源分子束外延（MBE）生產QD樣品。基板由GaP/Si和4.3μm的GaAs_yP_1-y逐步梯度緩沖液組成，將GaAs/Si材料切割成較小的塊，以進行QD生長。

　　將GaAs/Si與比較純的GaAs零件一起加載到MBE設備中。在快速熱退火（RTA）之前，去除表面InP QD和50nm AlGaInP來制備用于PL分析的QD樣品。InP QD PL強度的最佳RTA條件是750°C 5分鐘，其PL強度的維持歸因于相對于螺紋位錯密度的高點密度。

　　自InP量子點的PL發射相對于整體InP發生了0.4eV藍移。與純GaAs襯底相比，在GaAs/Si上生長時，InGaP QW結構的PL強度降低了9倍。相比之下，InP量子點受GaAs/Si增長的影響相對較小，并且硅基InP QD的集成發射強度比InGaP QW的集成發射強度高8倍。發光譜顯示，GaAs上InGaP-QWs和InP-QDs的基態發射分別為649nm波長（1.91eV）和713nm（1.74eV）。相應的半高全寬（FWHM）為24meV和65meV。

　　AFM顯示點密度為1.3×10¹¹/cm²，該密度高于以前的報道。高的點密度被視為是硅基QD的發射器進行有效發光和缺陷容忍的必要條件。典型的InAs QD密度約為5x10¹⁰/cm²。陰極發光表明穿線位錯密度為3.3x10⁷/cm²，比InP點密度低大約四個數量級。

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