中國蘇州納米技術與納米仿生研究所（SINANO）已在硅上使用n型脊形波導（nRW）制造了氮化銦鎵（InGaN）發(fā)射紫光的激光二極管（LDs），與pRW LDs相比，其電阻更低，熱性能更好。普通工藝要求基于InGaN的激光二極管中的RW位于器件的p側，但p-GaN的電阻比n-GaN的電阻大得多，因此出現(xiàn)了熱和電問題。

　　該團隊認為nRW-LD器件可以與大規(guī)模的硅基互補金屬氧化物半導體（CMOS）主流電子產品完全兼容，并且可以在單片集成硅光子學中用作高效的片上光源，以實現(xiàn)高功率加快數(shù)據(jù)通信和計算速度。

　　RW-LD的III-氮化物異質結構在硅上生長，并控制穿線錯位密度。激光二極管結構由夾在波導層之間的五個InGaN量子阱組成。將激光二極管結構的p面朝下鍵合到具有p型歐姆接觸電極表面的精確Si（100）晶片上。倒置的RW-LD結構使包層的n型側面約為0.5μm。在非倒置結構中，n覆層位于厚GaN模板的頂部，倒置RW-LD覆層的p側較厚，為1.2μm。最終將鍵合材料制成10μmx800μmRW-LD器件。

　　研究人員表示低熱導率的n型AlGaN包層厚度減小可以降低由于AlGaN和GaN模板之間晶格失配而產生的熱阻和拉應力，從而提高器件性能和制造成品率。

　　在-5V反向偏置下，反向泄漏電流為?10-7A。開啟電壓約為3.0V。反向nRW-LD注入350mA時的差分電阻為1.2Ω，反向器件的熱阻估計為18.2K / W。在350mA下連續(xù)波（CW）操作下的結溫為48.5°C。

　　在100mA注入時，nRW-LD結構的半峰全寬（FWHM）光譜線為12nm。在320mA時，線寬縮小到0.8nm，在閾值處給出的激光模式波長為418.3nm。