美國加利福尼亞大學圣巴巴拉分校（UCSB）的研究人員采用了失配位錯（MD）移離阱內量子點有源層，提高了硅基砷化銦量子點激光二極管（InAs QD LD）的性能。

　　錯配位錯是在從540°C生長溫度降溫時形成的，而不是在生長過程中。砷化鎵（GaAs）和硅的熱膨脹差異約為3x10^-6/K，該團隊在錯配位錯和DWELL之間放置了一層薄而無滑行的層，以提高性能。然后，研究人員生產了激光結構，并制成了3μmx1.5mm的脊形波導激光二極管。由于頂層p-GaAs接觸層足夠厚，足以發(fā)生螺紋位錯滑動，因此研究人員在用作活性層的五層DWELL上方和下方插入了80nm的陷阱層。

　　兩個捕集層中的銦含量相同，但底部捕集層中的鎵被鋁代替。使用斷層掃描技術進行的更深入檢查表明，存在陷阱層，也存在一些螺紋位錯滑移，根據(jù)平面掃描透射電子顯微鏡（STEM），陷獲層使大部分錯配位錯長度從量子點上移開。

　　陷阱層的存在使光致發(fā)光幾乎增加了兩倍。在電偏壓下，帶有陷獲層的閾值電流也降低了約兩倍。捕獲層的最低閾值為16mA，比最低基線值降低40％。在基線激光二極管上的中值斜率效率（+60％）和中值峰值單面輸出功率（3.4x）中顯示了其他改進。在具有陷獲層的熱翻轉之前，中值輸入功率為0.85W，而基線為0.46W。

　　該團隊認為，與通過將線錯位密度從7x10⁷/cm²降低到7x10⁶/cm²所獲得的性能相比，捕獲層的性能提升具有可比性。由于器件厚度對于許多應用至關重要，因此，使用薄的失配陷獲層獲得的這些性能增益具有很大的優(yōu)勢。