日本SCIOCS Co Ltd宣稱其n型氮化鎵（n-GaN）在室溫下具有最高的遷移率，載流子密度為1015/cm³。這種低摻雜層是額定電壓高達10kV的垂直功率器件的關鍵組件，需要厚漂移層以減少電場，同時保持導電率，與遷移率和自由載流子密度成比例。

　　SCOICS團隊使用氫化物氣相外延（HVPE），該采用金屬鎵和氨（NH₃）作為原料，避免了C的存在，從而避免了碳污染有關的遷移率崩潰效應。HVPE的另一個優勢是，其生長速度比MOCVD快得多。

　　為了能夠精確控制低電子密度材料所需的硅摻雜，研究人員開發了一種QF-HVPE工藝。QF-HVPE的增長是通過從設備的高溫區域去除石英來實現的，并且避免了氧污染。溫度為1050°C，基板為2英寸，+c取向，Si摻雜的n型自立式GaN，采用SiCOSCS開發的空穴輔助分離法生產，QF-HVPE的增長率約為1μm/min。

　　在低 QF-HVPE工藝中發現了最高的遷移率1470cm²/V-s，其自由電子密度非常低，僅為1.2x10¹⁵/cm³。這是迄今為止GaN晶體報道的最高室溫遷移率。

　　該團隊還測量了通過MOCVD和QF-HVPE生長的晶片上的載流子密度均勻性）。平均載流子密度分別為7x10¹⁵/cm³和3.4x10¹⁵/cm³。MOCVD中載流子密度的不均勻性的標準偏差為16.7％。這歸因于斜角依賴的C摻入效率。對于QF-HVPE，不均勻性標準偏差是已經很低的平均載流子密度的4.0％。

　　QF-HVPE n-GaN的光致發光研究顯示，清晰的363nm波長近帶邊緣發射峰，以及以520-530nm為中心的較弱的寬綠色發射。這種綠色發光與氮空位有關。沒有黃色發光的跡象，通常是由于C污染引起的。