美國和韓國的研究人員主張使用具有納米多孔（NP）氮化鎵（GaN）的導電分布式布拉格反射器（DBR）來制造第一款電注入III氮化物垂直腔面發射激光器（VCSEL）。這將有助于克服目前用III族氮化物材料生產藍色和紫外VCSEL的局限性，使其性能與紅外和更長可見光波長下的性能相似。并且目前的研究表明，導電納米多孔GaN DBR可以潛在地滿足VCSEL操作的所有要求，并為可擴展和可控制的批量生產提供獨特的途徑。

　　外延材料生長在2英寸c平面體GaN襯底上。底部DBR材料由交替摻雜硅（Si）和鍺（Ge）層組成。電感耦合等離子體刻蝕用于創建腔內和底部n接觸的平臺，并通過硝酸和1.6V偏壓暴露DBR材料用于多孔化工藝。頂部反射器是介電結構，由HfO2隔離層和SiO2 / HfO2 DBR對組成。

　　研究人員在生產VCSEL之前使用校準結構，確定了底部DBR在39nm處的終止間隙，可實現98％以上的反射率，以及99.6％的峰值反射率。研究發現該阻帶比以前報道的外延DBR寬兩倍，在2英寸晶圓上中心波長的偏移均勻度小于2nm。根據使用轉移矩陣法的擬合，納米多孔GaN的折射率為2.06。

　　使用具有0.4％占空比的200ns脈沖電流注入來測試VCSEL。腔內注射時，開啟電壓為5.4V，激光閾值達到42kA / cm2的電流密度。在78kA / cm2時，最大光輸出功率為0.17mW。峰值波長為434nm。

　　激光輸出的檢查顯示出亮點，與設備中的絲狀激光結構有關。光輸出功率的扭結增加分別為54kA / cm2和74kA / cm2，這歸因于額外的燈絲開始發光。