Omdia在其《2020年SiC和GaN功率半導體報告》中指出，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體市場的業務主導正在由初創企業迅速變為大型功率半導體制造商。過渡期是在市場達到關鍵規模的情況下進行的，預計到2020年底，收入將增長至8.54億美元，在2021年超過10億美元，這得益于混合動力和電動汽車，電源和光伏（PV）逆變器的需求。

　　SiC和GaN功率半導體行業的起源都是小型初創公司，其中許多現在已經被大型，成熟的硅功率半導體制造商所吞并，并且也有制造商不斷進入SiC市場，例如ABB半導體，CRRC時代半導體，PanJit International，東芝和WeEn半導體。

　　GaN市場初創企業有些仍在發展，并且與成熟的硅功率半導體制造商結成聯盟。硅功率半導體制造商很少收購原始初創公司的原因之一是鑄造服務提供商的出現，他們完善了GaN-on-Si外延片和器件的生產，建立了可行的無晶圓廠GaN制造商市場。SiC功率半導體行業發生了兩次并購，涉及SiC晶圓供應商：意法半導體（STMicroelectronics）收購瑞典Norstel，以及SK Siltron收購杜邦（DuPont）的SiC晶圓業務。

　　SiC襯底晶圓供應市場正在緩慢增長，許多領先企業宣布了產能擴張計劃，但晶圓價格下降得不夠快，市場領導者的競爭還不夠。Omdia總結說，出現在獨立式GaN晶片上的溝槽器件的新開發者，例如NexGen Power Systems和Odyssey Semiconductor，但要普及到器件，還需要很多年。