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II-VI收購Ascatron和INNOViON,形成垂直整合的SiC電力電子平臺

稿件來源:今日半導體 責任編輯:ICAC 發布時間:2020-08-20

  美國工程材料和光電組件制造商II-VI將收購Ascatron 和INNOViON,兩項交易均計劃于2020年底完成。

  Ascatron由寬帶隙材料專家團隊領導,在SiC和半導體行業擁有200多年的經驗,主要生產SiC外延晶片和器件,用于各種高壓電力電子應用。

  INNOViON是世界上最大的離子注入服務提供商,在全球范圍內擁有30個注入器,支持最大300mm晶片的半導體材料處理能力。該公司的工藝能夠摻雜多種半導體,包括碳化硅、砷化鎵、磷化銦和硅。

  II-VI的首席執行官Vincent D. Mattera Jr博士說:“Ascatron和INNOViON的技術平臺給II-VI提供了SiC襯底,我們將結合這些功能,以實現世界上最先進的內部垂直集成的150mm SiC技術平臺之一。在我們在SiC襯底上的深厚專業知識的基礎上,并增加了先進的SiC外延、器件制造和模塊設計,以滿足對SiC電力電子產品快速增長的需求。”

  SiC在電動汽車(EV)、可再生能源、微電網和數據存儲和通信電源等領域有著重要的優勢,代表了電力電子領域的顛覆性技術。與基于硅的器件相比,SiC具有更高的效率,更高的能量密度和更低的總體系統級擁有成本。

  作為垂直整合戰略的一部分,II-VI正在利用其廣泛的工程材料和光電設備技術平臺以及其在全球的制造能力,通過開發高性能復合半導體來推動規模和創新。

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