工程材料和光電組件制造商II-VI已獲得通用電氣（General Electric）的SiC技術(shù)許可，以期進(jìn)入功率器件和模塊制造。就像II-VI在SiC晶圓市場上的主要競爭對手一樣，美國的Cree / Wolfspeed和日本的Rohm Group Company（包括SiCrystal）也一樣，新的許可能通過電動(dòng)汽車和混合電動(dòng)汽車（EV / HEV）應(yīng)用的快速發(fā)展，推動(dòng)SiC基電力電子產(chǎn)品的市場需求。

　　Knowmade在其報(bào)告《2019年功率SiC專利態(tài)勢》中分析，GE的專利活動(dòng)在2000年代末開始，重點(diǎn)是SiC MOSFET的平面器件架構(gòu)，GE是平面SiC MOSFET技術(shù)中最活躍的IP廠商，目前在全球擁有90多項(xiàng)已獲授權(quán)的專利，其中包括該領(lǐng)域的許多關(guān)鍵專利。并且GE在SiC MOSFET專利領(lǐng)域的專利活動(dòng)有所放緩，這表明GE的SiC MOSFET技術(shù)已經(jīng)達(dá)到了很高的成熟度。

　　2013年，GE對汽車行業(yè)的技術(shù)進(jìn)行了認(rèn)證（AEC-Q101，200°C）。 2016年末，除了小批量生產(chǎn)外，該公司還在紐約電力電子制造聯(lián)盟（NY-PEMC）工廠開始大批量生產(chǎn)SiC功率器件。2017年，在NY-PEMC框架內(nèi)，GE宣布與丹佛斯建立制造合作伙伴關(guān)系，以在美國紐約州的尤蒂卡（Utica）生產(chǎn)SiC功率模塊。

　　II-VI與GE的專利協(xié)議將進(jìn)一步促進(jìn)平面SiC MOSFET技術(shù)在系統(tǒng)電氣化方面的采用，例如工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施、大型數(shù)據(jù)中心和車輛（EV / HEV）。大多數(shù)以汽車為重點(diǎn)的專利申請人似乎都將重點(diǎn)放在用于汽車應(yīng)用的溝槽式SiC MOSFET技術(shù)上，但平面SiC MOSFET供應(yīng)商已經(jīng)開始合作開發(fā)基于SiC的汽車應(yīng)用，如，在2019年11月，Cree / Wolfspeed與汽車供應(yīng)商ZF建立了戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，以增強(qiáng)基于SiC的逆變器的電力傳動(dòng)系統(tǒng)。