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工藝器件物理模型與TCAD工具
 研究內容:

研究納米尺度半導體器件物理模型和快速穩健的數值算法,開發自主TCAD仿真工具。發展前沿量子輸運計算方法,研究全量子物理計算方法與半經典物理計算方法的多物理模型混合仿真技術。探索機器學習在器件物理模型和TCAD數值仿真中的應用。基于自主TCAD工具開發集成電路先進工藝節點FDSOI, FinFET, NanosheetFET等器件,以及SRAM, DRAM, NAND等單元電路仿真解決方案。



研究成果:

與國內外知名研究機構和科技公司合作開展工藝器件物理模型與TCAD工具研發。開發基于結構演化的3D虛擬工藝整合模型和TCAD原型工具。提出多種新型電路單元設計和工藝集成實現方案。開發三維有限元數值迭代求解技術,納米線晶體管經典漂移擴散方程-泊松方程組求解結果與商業軟件吻合。開發了原子尺度量子輸運計算優化算法,支持大于50000原子規模器件全量子效應仿真。已申請軟件著作權1項,發明專利3項。與國內集成電路制造企業建立緊密技術合作關系,基于自主TCAD仿真技術建立應用解決方案,進行技術轉移。