近日，微電子所集成電路先導工藝研發中心在極紫外光刻基板缺陷補償方面取得新進展。基于以上問題，微電子所韋亞一研究員課題組與北京理工大學馬旭教授課題組合作，提出了一種基于遺傳算法的改進型掩模吸收層圖形的優化算法。此項研究得到國家自然科學基金、國家重點研究開發計劃、北京市自然科學基金、中科院的項目資助...
近日，中科院微電子所先導中心在美國電化學會《固態科學與技術雜志》發表了文章： Study of Isotropic and Si-Selective Quasi Atomic Layer Etching of Si1 - xGex （ DOI ： 10.1149/2162 - 8777 / AB80AE ） 。文章系統介紹了一種全新的集成電路刻蝕技術：各向同性和硅選擇性的鍺硅準原子層刻蝕技術（ quasi - Atomic...
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