中國(guó)和沙特阿拉伯的研究人員首次展示了氮極隧道結(jié)（TJ）氮化銦鎵（InGaN）發(fā)光二極管（LED），研究人員稱，以前已經(jīng)報(bào)道了具有良好性能的N極隧道結(jié)，但是目前僅獲得了III極III型氮化物TJ-LED。 研究團(tuán)隊(duì)使用極化摻雜的氮化鋁鎵（AlGaN）來提高TJ的性能，產(chǎn)生更高的空穴濃度，并增加了從電極散布的橫向電流。這項(xiàng)工作中的...
近來，二維（ 2D ）半導(dǎo)體作為一種新型材料正在引起人們的關(guān)注，其大小與一個(gè)原子的厚度相當(dāng)。理論上來說， 2D材料在電子和光電子工業(yè)以及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中有著光明的應(yīng)用前景。任何手機(jī)、電腦、電子設(shè)備，甚至太陽能電池，都是由相同的基本電子元件，即二極管組成的。二極管的核心基礎(chǔ)p － n結(jié)的納米制備一直是個(gè)未解決的挑...
新華社北京報(bào)道，日前國(guó)務(wù)院印發(fā)《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》（以下簡(jiǎn)稱《若干政策》）。《若干政策》強(qiáng)調(diào)，集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)是信息產(chǎn)業(yè)的核心，是引領(lǐng)新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量。國(guó)務(wù)院印發(fā)《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》《進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路...
首個(gè)晶圓級(jí)單片實(shí)現(xiàn)的常關(guān)、增強(qiáng)型（E型）共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）在中國(guó)西安電子科技大學(xué)研制成功，該場(chǎng)效應(yīng)晶體管由硅（Si）和氮化鎵（GaN）組件組成，這些組件通過低成本轉(zhuǎn)移印刷和自對(duì)準(zhǔn)蝕刻工藝組裝而成。研究人員希望他們的技術(shù)能實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的集成，將硅、氮化鎵和其他材料結(jié)合在一起的器件和電路的功能多樣化...
中國(guó)本科生首次帶著自己設(shè)計(jì)的處理器芯片畢業(yè)— —中國(guó)科學(xué)院大學(xué)25日公布首期“一生一芯”計(jì)劃成果：在國(guó)內(nèi)首次以流片為目標(biāo)，由五位本科生主導(dǎo)完成一款64位RISC-V處理器SoC芯片設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)流片。芯片能成功運(yùn)行Linux操作系統(tǒng)以及學(xué)生自己編寫的中國(guó)科學(xué)院大學(xué)教學(xué)操作系統(tǒng)UCAS-Core 。該校還將充分發(fā)揮科教融合優(yōu)勢(shì)，培...
日本三菱電機(jī)公司（Mitsubishi Electric Corp）開發(fā)了新技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)用于5G基站的氮化鎵（GaN）功率放大器（PA）模塊，該模塊具有6mm x 10mm的緊湊尺寸和 43％的超高功率效率（在3.4-3.8GHz的5G頻率范圍內(nèi)）。該模塊在匹配電路中使用最少的芯片來控制高質(zhì)量的信號(hào)輸出，可以幫助實(shí)現(xiàn)可廣泛部署且具有高能效的5G基站。新...
美國(guó)加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校（UCSB）發(fā)布了具有通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)的具有外延隧道結(jié)（TJ）的氮化鎵（GaN）基微型發(fā)光二極管（μLED）的最低正向電壓（MOCVD）。該電壓僅略高于使用銦錫氧化物（ITO）透明導(dǎo)電電極的電壓。UCSB團(tuán)隊(duì)使用選擇性區(qū)域生長(zhǎng)（SAG）技術(shù)來創(chuàng)建帶有穿孔的隧道結(jié)層。TJ中的穿孔孔用于在...
為進(jìn)一步增強(qiáng)成都高新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力，推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，近日，成都高新區(qū)正式印發(fā)《成都高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)關(guān)于支持集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》 （以下簡(jiǎn)稱“ 《政策》 ” ） 。對(duì)新引進(jìn)項(xiàng)目或存量企業(yè)增資項(xiàng)目的集成電路設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)收入首次達(dá)到1億元、 3億元、 5億元、 ...
RENA Technologies推出Inception單晶圓平臺(tái)，將其從濕法處理平臺(tái)產(chǎn)品組合中擴(kuò)展出來，該平臺(tái)在研發(fā)到生產(chǎn)過程中起過渡作用，并能夠處理所有半導(dǎo)體濕法工藝，例如清潔、蝕刻、剝離并干燥。RENA Technologies NA的首席執(zhí)行官Ed Jean說： “如果您只有一把錘子，那么一切就像釘子一樣。通過將Inception單晶圓工具添加到RENA...
近年來，鈣鈦礦太陽能電池在柔性可穿戴電子設(shè)備等方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和巨大的應(yīng)用潛力。然而，鈣鈦礦卻是塊“硬骨頭” ，其易脆性、結(jié)晶性等特點(diǎn)影響著其“柔性”應(yīng)用的進(jìn)一步發(fā)展和商業(yè)化拓展。除了穩(wěn)定性，宋延林認(rèn)為，現(xiàn)階段，基于高質(zhì)量鈣鈦礦薄膜的大面積印刷工藝尚不成熟，需要對(duì)鈣鈦礦薄膜制備過程中的形核結(jié)晶過...
研究人員一直在尋求方法來改善藍(lán)寶石上氮化鋁（AlN）的生長(zhǎng)質(zhì)量，以期將其應(yīng)用于電子產(chǎn)品。除了電擊穿之前的高臨界場(chǎng)外，AlN的高導(dǎo)熱性能夠改善集成電路的熱管理，高臨界場(chǎng)可實(shí)現(xiàn)更快、更節(jié)能和更緊湊的功率開關(guān)器件。為了利用超寬帶隙AlN的增強(qiáng)臨界電場(chǎng)特性，減少因晶體缺陷引起的潛在泄漏至關(guān)重要。目前，AlN模板的質(zhì)...
亞10nm的結(jié)構(gòu)在集成電路、光子芯片、微納傳感、光電芯片、納米器件等技術(shù)領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用需求（圖1），這對(duì)微納加工的效率和精度提出了許多新的挑戰(zhàn)。激光直寫作為一種高性價(jià)比的光刻技術(shù)，可利用連續(xù)或脈沖激光在非真空的條件下實(shí)現(xiàn)無掩模快速刻寫，大大降低了器件制造成本，是一種有競(jìng)爭(zhēng)力的加工技術(shù)。然而，長(zhǎng)期...
在歐盟COSMICC項(xiàng)目支持下，法國(guó)微納米技術(shù)研發(fā)中心CEA-Leti展示了一種完全封裝的粗波分復(fù)用（ CWDM ）硅光子收發(fā)器模塊，每根光纖的數(shù)據(jù)傳輸速率為100Gb/s ，光電芯片上還集成有一個(gè)低功耗電芯片。基于硅光子學(xué)的收發(fā)器以50Gb / s的速率復(fù)用兩個(gè)波長(zhǎng)，旨在滿足不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)通信需求以及數(shù)據(jù)中心和超級(jí)計(jì)算機(jī)的能耗。該...
北京大學(xué)已采用深紫外（ DUV ，波長(zhǎng)小于300nm ）發(fā)光的自組裝側(cè)壁量子阱（ SQW ）結(jié)構(gòu)來改善基于氮化鋁鎵（ AlGaN ）化合物半導(dǎo)體合金的二極管的光輸出功率性能。C面藍(lán)寶石襯底上進(jìn)行多量子阱( MQW )材料生長(zhǎng)過程中的聚集效應(yīng)。北京研究人員認(rèn)為他們的SQW方法是一種潛在的“顛覆性框架” ，另外， SQW結(jié)構(gòu)會(huì)產(chǎn)生載流子局...
更快、更密集的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)革命即將來臨了嗎？據(jù)英國(guó)《自然·物理學(xué)》雜志近日發(fā)表的一項(xiàng)研究，一個(gè)美國(guó)聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)利用層狀二碲化鎢制成了二維（ 2D ）金屬芯片，其厚度僅三個(gè)原子！在更節(jié)能的同時(shí)，儲(chǔ)存速度提高了100倍之多，為開發(fā)下一代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)材料奠定了基礎(chǔ)。在這次的新研究中，美國(guó)斯坦福大學(xué)、加州大學(xué)伯克利分校...
臺(tái)灣國(guó)立交通大學(xué)已使用氮化鎵中間層（ IL ）來改善低成本硅上氮化銦鋁鎵（ InAlGaN ）阻擋層高電子遷移率晶體管（ HEMT ）的性能。研究提示IL的增長(zhǎng)時(shí)間過長(zhǎng)會(huì)導(dǎo)致InAlGaN勢(shì)壘的表面退化，適合進(jìn)行“階梯流”生長(zhǎng)，從而使表面更光滑，降低了樣品深處的界面粗糙度。由于界面粗糙度的改善,合金和界面粗糙度的散射得到了有...
皮拉尼（ Pirani ）真空計(jì)是基于熱傳導(dǎo)原理的真空計(jì)，基于傳統(tǒng)熱阻的皮拉尼真空技術(shù)在國(guó)際上已較為成熟，并有典型的真空傳感器產(chǎn)品。為了實(shí)現(xiàn)寬范圍量程的真空計(jì)量，往往需要通過組合多個(gè)真空計(jì)來實(shí)現(xiàn)。但由于傳統(tǒng)的真空計(jì)體積較大，而真空組合模塊的體積又進(jìn)一步限制了其應(yīng)用。中科院微電子所先導(dǎo)中心在微型MEMS皮拉尼...
近日，微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心陳大鵬研究員課題組與中北大學(xué)熊繼軍教授課題組合作在表面增強(qiáng)拉曼（ SERS ）生化檢測(cè)研究領(lǐng)域取得了階段性進(jìn)展。課題組提出了一種基于納米森林的超疏水高粘附基底用于分子的雙重富集，所制備的3D結(jié)構(gòu)的金/銀納米雜化結(jié)構(gòu)能很好地將待測(cè)物分子限制在“熱點(diǎn)”處，從而成功實(shí)現(xiàn)分子...
量子糾纏是量子計(jì)算的核心資源，量子計(jì)算的能力將隨糾纏比特?cái)?shù)目的增長(zhǎng)呈指數(shù)增長(zhǎng)。因此，高品質(zhì)糾纏粒子對(duì)的同步制備是實(shí)現(xiàn)大規(guī)模糾纏態(tài)的首要條件。但是，受限于糾纏對(duì)的品質(zhì)和量子邏輯門的操控精度，目前人們所能制備的最大糾纏態(tài)距離實(shí)用化的量子計(jì)算和模擬所需的糾纏比特?cái)?shù)和保真度還有很大差距。光晶格超冷原子比...
近些年來，中國(guó)大力發(fā)展的大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、人工智能、量子技術(shù)以及諸多大科學(xué)裝置是依賴于信息的快速獲取、高速處理和高效傳輸，實(shí)現(xiàn)這一切的基礎(chǔ)則是需要有性能更為強(qiáng)大的元器件作為保障。為此，人們一直通過不斷提高提高微電子芯片的集成度來解決相關(guān)問題，目前， ASML EUV光刻系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)7 nm節(jié)點(diǎn)甚至更小尺度的晶體管...
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