光電探測器以類似于光電晶體管的方式工作，在一對歐姆接觸之間使用6μmx100μm的p-GaN光學柵極。30μmx100μmLED通過p-GaN陽極提供的空穴的復合產生光子，并從在AlGaN/GaN界面附近形成的二維電子氣（2DEG）產生電子。在HEMT和HKUST光電探測器結構中，2DEG構成了可以通過外部手段控制其電阻的通道。

　　制造順序為：制造用于LED陽極和光電探測器柵極的p-GaN圖案；制造用于LED陰極和光電探測器AlGaN觸點的鈦/鋁/鎳/金歐姆接觸沉積；氟離子注入隔離器件；用50nm等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）二氧化硅（SiO₂）鈍化；在LED p-GaN陽極上進行透明的鎳/金歐姆接觸沉積和退火；厚的鎳/金接觸墊沉積。

　　在5V偏壓下，該光電檢測器在商用LED照明下（功率為0.024mW/cm²、波長為365nm），暗電流為3.9x10^-7mA/mm，光電流為0.43mA/mm。研究人員將光暗電流比為1.1x10⁶描述為“出色”。低暗電流歸因于AlGaN/GaN界面處2DEG的耗盡，盡管施加了5V偏壓，但仍在p-GaN層下方形成了高電阻率溝道。UV照明在柵極下方創建了導電的2DEG通道。光電探測器的“超高”響應度為3.5x10⁵A/W。

　　這些功能使光電探測器能夠對芯片上小型LED光源的信號進行高靈敏度的光檢測，即使其輸出功率相對較低的也是如此。

　　LED具有約4.65V的高導通電壓，由于橫向進入區域的緣故，正向偏置下的電流注入往往會在約10V的高偏置下飽和。在10V下注入的電流為267A/cm²。LED的光譜峰值約為360nm波長，半峰全寬（FWHM）為7nm。

　　LED光電檢測器組合在某種意義上以類似于晶體管的方式進行操作，其中LED偏置為柵極電勢，光電檢測器電流為溝道。在5V光電檢測器偏置下，耦合效率（PD/LED電流比）為0.022，與已報道的其他器件相比非常好。

　　在使用Si MOSFET向LED注入電流的電路中測試了LED-PD系統的“頻率響應”。對方波信號的響應的上升和下降時間分別為0.41s和0.36s。估計光電檢測器的電阻電容延遲約為100ns，主要延遲因素似乎是AlGaN/GaN異質結構中的持久光電導效應。該團隊計劃優化p-GaN蝕刻步驟和鈍化，以消除陷阱效應，從而提高響應速度。研究人員還建議，向光電檢測器的p-GaN柵極增加偏壓可能是獲得更快響應的另一條途徑。