中國和日本的研究人員一直在探索多量子阱（MQW）III氮化物二極管陣列的同時發(fā)射檢測能力。研究團隊希望可以用這種多功能設備，開發(fā)用于物聯網（IoT）部署的先進整體式III族氮化物信息系統。

　　III族氮化物二極管具有發(fā)射和檢測光的能力。研究人員成功地組合了這些功能，同時執(zhí)行了這些功能。

　　MQW二極管陣列是在藍寶石材料上使用2英寸直徑的III型氮化物制造的。使用感應耦合等離子體反應離子蝕刻將n-GaN接觸層暴露到750nm的深度。通過蒸發(fā)技術將氧化銦錫透明導體材料施加到p-GaN接觸層上，然后進行退火。剝離工藝用于沉積和構圖用于n電極和p電極的鉻/鉑/金金屬。

　　4x4陣列中的設備通過填充有二氧化硅絕緣層的溝槽，結合墊和金屬線由鈦/鉑/金形成。各個MQW二極管的尺寸為1mmx1mm。

　　442nm波長的電致發(fā)光峰與光響應光譜的尾部有36nm的重疊。兩個陣列元素之間的通信通過偽隨機二進制序列（PRBS）調制達到了每秒2k位的速率。二進制脈沖調制的峰谷電壓差為1.6V。檢測到的信號約為1.5mV高。

　　研究人員實現了自動光亮度控制設置，其中405nm激光指示器可以發(fā)出編碼的脈沖序列，該脈沖序列將被陣列檢測到，然后由控制電路進行解釋，以考慮環(huán)境光條件將光輸出調整到所需的水平通過反饋。

　　該團隊正在開發(fā)電路，以有效提取光電流，同時這些器件也同時作為LED工作。同時照明成像系統具有三種操作模式：照明、成像和同時照明成像。這意味著micro-LED屏幕可以同時顯示圖像。環(huán)境光條件的變化會在芯片內部產生光電流，從而允許反饋信號來控制操作。