美國UCSB一直在使用氮化鎵多孔化工藝來增加氮化銦鎵（InGaN）微米級發(fā)光二極管（μLED）的波長。多孔GaN的剛性較差，因此覆蓋InGaN的“偽襯底”（PS）層的應變較小。

　　疏松的InGaN通過“成分拉動效應”增加了再生長過程中的銦吸收，形成了更高的銦含量層，從而產(chǎn)生了更長的發(fā)射波長。這項工作有助于產(chǎn)生發(fā)射綠色光（500-565nm）甚至發(fā)射橙色（590-625nm）的器件。

　　對于InGaNμLED，UCSB團隊在c面藍寶石上進行MOCVD。GaN層使用三甲基鎵作為金屬前驅(qū)體，而InGaN使用三乙基鎵和三甲基銦。用于n型導電性的硅摻雜來自乙硅烷（Si₂H₆）。將由該材料制成的2mmx2mm的管芯干法蝕刻成尺寸為8μmx8μm到20μmx20μm的正方形瓷磚。對該多孔材料進行MOCVD再生長，產(chǎn)生LED結(jié)構(gòu)。

　　該團隊首先研究了具有4％mx4μm面積的LED的平均發(fā)光波長（EL），這些尺寸的LED具有銦含量為4％的基礎(chǔ)InGaN層。隨著瓦片變小，波長發(fā)生紅移。發(fā)射波長在很大程度上與μLED臺面尺寸無關(guān)，沒有明顯的趨勢。在100A / cm²時，器件的外部量子效率（EQE）小于0.44％，最大值來自20μm瓷磚上最大的μLED。較大的μLED的效率更高，表明通過表面重組效應會從有源區(qū)域的周邊損失。

　　研究小組還發(fā)現(xiàn)與發(fā)出綠色光的μLED相比，隨著n-InxGa1-xN基層中銦成分的增加以及發(fā)出橙色光的μLED的量子阱的增加，v缺陷形成的增強導致引入了很多泄漏途徑。這導致橙色μLED的泄漏電流增強。盡管發(fā)橙光器件的EQE很少，但證明了該技術(shù)在制造應變松弛型色彩可調(diào)μLED方面的潛力。