三元有機太陽能電池（ ternary organic solar cells ， TOSCs ）作為一種有效拓寬光伏響應范圍的策略，近年來得到關注和發展。然而，不是所有能級匹配、吸收光譜互補的材料均可作為客體來制備三元器件。相對于主體二元體系來說，第三組分（客體）的引入可能破壞原來二元共混膜內有序的分子堆積和納米互穿網絡，進而增加...
美國加利福尼亞大學圣巴巴拉分校（ UCSB ）的研究人員采用了失配位錯（ MD ）移離阱內量子點有源層，提高了硅基砷化銦量子點激光二極管（ InAs QD LD ）的性能。然后，研究人員生產了激光結構，并制成了3 μ mx1.5mm的脊形波導激光二極管。使用斷層掃描技術進行的更深入檢查表明，存在陷阱層，也存在一些螺紋位錯滑移，...
二維材料的維度與界面調控是推動其持續蓬勃發展的重要因素。由于二維材料層間弱的范德華力相互作用，可以按需將任意的二維材料堆疊在一起，組合成范德華雙層及多層人工材料，從而實現對其物理性能的調制。利用轉角自由度調控，可在人工疊層材料中引發多種有趣的物理行為，例如非常規超導電性、摩爾激子、隧穿電導、非線...
隨著可穿戴智能設備在運動和醫療健康等領域的應用，發展與之相適應的柔性可彎曲電化學儲能器件成為重要需求。然而，柔性儲能器件一般采用化學/物理沉積、組裝、微鈉加工等特殊工藝制備，材料的選擇和使用受限制，導致難以兼得柔性器件的比能量和力學柔性。近日，中國科學院電工研究所研究員馬衍偉研究團隊在高性能柔性儲...
氮化鎵（ GaN ）是一種寬禁帶半導體，第三代半導體的典型代表。與第一代半導體硅基的器件相比， GaN器件具有更高耐壓、更快開關頻率、更小導通電阻等特性，在功率電子器件領域得到廣泛應用。相關研究顯示， GaN器件適用于68%的功率器件市場。在功率轉換電路中應用GaN器件可消除整流器在進行交直流轉換時90%的能量損失，...
近日，微電子所集成電路先導工藝研發中心陳大鵬研究員課題組與中北大學熊繼軍教授課題組合作在表面增強拉曼（ SERS ）生化檢測研究領域取得了階段性進展。此類傳感器相比同類液相環境下檢測的傳感器，表現出更高的檢測能力，能夠實現對羅丹明6G的低極限檢測（ 100 fM ） ，對液體活檢分析中常用的功能性探針分子（對氨基...
中國研究人員發布第一個在絕緣體上硅（ SOI ）襯底上的電泵浦砷化銦量子點砷化鎵基質（ InAs / GaAs QD ）窄脊Fabry-Perot （ FP ）激光器。激光器的有源區域由GaAs矩陣中的7層InAs QD組成，形成了井中點（ DWELL ）結構。注入電流為200mA 、 240mA時，脈沖模式下的輸出功率，前者小于5mW ，后者最大為6.5mW 。研究小組...
中國河北大學宣布使用鉍碲硒（ Bi2Te2.7Se0.3 ）開發了一系列光電功能器件。該材料具有0.16eV的窄帶隙的二維結構。研究人員認為這使將來可能實現在一個設備中結合信息通信、計算和存儲功能。光學照明產生自由移動的電子-空穴對-電子朝著被俘獲的Pd電極移動，在鉍碲硒/ SiO2界面上留下正電荷。研究人員使用該結構實現了“...
近期，中國科學院上海光學精密機械研究所微納光電子功能材料實驗室在3微米激光晶體研究中取得進展。Ga , Al或過渡元素）激光晶體以高的結構無序度、優良的熱學性能和較低的聲子能量，被認為是有可能獲得商用發展的超快激光增益介質，可應用于醫療、工業、科研等領域。但激光下能級的壽命（ 8.64ms ）遠大于上能級（ 0.22...
近日，中國科學院深圳先進技術研究院深圳先進集成技術研究所功能薄膜材料研究中心研究員唐永炳帶領的研究團隊，采用高電壓高濃度電解液顯著提升鉀基雙石墨電池的能量密度以及循環穩定性。相關研究成果以6.0 V High-Voltage and Concentrated Electrolyte toward High Energy Density K-Based Dual-Graphite Battery為題...
近期，中國科學院金屬研究所沈陽材料科學國家研究中心先進炭材料研究部新型電化學材料與器件團隊在聚環氧乙烷基高性能電解質和固態電池方向取得進展，明顯提高了全固態聚合物鋰電池循環使用次數和穩定性，并實現在室溫和低溫下的優異電化學性能。針對聚環氧乙烷基固態電池普遍在較高溫度（ 50-70 ° C ）下使用，而在室...
近日，中國科學院深圳先進技術研究院醫工所微納系統與仿生醫學研究中心副研究員王昊團隊提出了一種對于納米摩擦發電機器件進行可編程操作的策略，實現了不依賴于摩擦界面材料的改進，單純通過設定的操作程序實現電荷在器件內循環累積實現超高電壓輸出。相關論文以Programmed-triboelectric nanogenerators — A multi-sw...
近日，中國科學院上海光學精密機械研究所激光與紅外材料實驗室微結構光物理研究團隊首次實現新型鈣鈦礦量子點/微腔復合結構，實現整個可見光波段內連續可調的高品質單模激光輸出。相關研究成果發表在《材料化學期刊- C 》 （ Journal of Materials Chemistry C ）上。近年來，盡管有溶液處理的膠體量子點薄膜激光的報道...
電光晶體是一種重要的功能晶體，以此制成的高速電光開關、電光調制器和電光偏轉器在激光技術、光譜技術等領域中有重要應用。盡管部分實用的電光晶體已實現商業化，但當前仍需發掘更多性能優良的電光晶體以滿足日益增長的電光晶體應用需求。目前，新型電光晶體的研究基本處于停滯狀態，其中的一個原因是沒有合適的理論方...
石墨烯納米帶（ GNR ）是一種準一維的石墨烯納米結構，根據結構不同可表現出準金屬或半導體特性。該特性取決于GNR的手性，包括寬度、晶格取向和邊緣結構。根據不同的邊緣結構， GNR可分為“鋸齒型” （ ZZ ）和“扶手椅型” （ AC ） 。GNR具有高遷移率和載流能力，且由于量子限域和邊緣效應，其能夠開啟帶隙。該特性使G...
近年來，鋰電池作為儲能器件在手機、筆記本電腦及電動汽車等領域的應用十分廣泛。固態電池是采用固態電解質代替液態電解質的新型電化學儲能器件，其具有安全性能高和能量密度高的特點。目前，研究人員已經開發了聚合物固態電解質、無機固態電解質及復合型固態電解質等多種研究體系。針對聚環氧乙烷基固態電解質中鋰離子...
外爾半金屬的費米面有且僅有孤立的能帶交叉點構成，因而其低能激發的準粒子可以用描述外爾費米子的外爾方程來刻畫，具有外爾費米子的零質量、確定手性等特征。雖然自由粒子形式的外爾費米子至今未能被實驗確認，但在外爾半金屬中卻能夠實現外爾費米子形式的準粒子，這為研究外爾費米子的行為提供了新途徑。固體中的外爾...
總部位于東京的三菱電機公司將推出第二代全碳化硅（ SiC ）功率模塊，該功率模塊采用了最新開發的工業用SiC芯片。組件模塊中的SiC-MOSFET （金屬氧化物半導體場效應晶體管）和SiC-SBD （肖特基勢壘二極管）芯片具有低功耗特性和高載頻工作性能，從而有助于開發用于各種工業領域中的更高效、更小、更輕的動力設備器件。具...
作為資助的MehrSi項目的一部分，德國弗勞恩霍夫太陽能系統ISE研究所與伊爾默瑙技術大學，馬爾堡菲利普斯大學以及沉積設備制造商Aixtron SE合作，通過優化層結構和技術，使硅襯底上生長的多結太陽能電池效率達到25.9 ％ ，創下了紀錄。硅適合吸收太陽光譜的紅外部分，然后將幾微米厚的不同III-V半導體化合物層施加到硅基...
在美國空軍研究實驗室（ AFRL ）資助項目“使用新型前體對4H-SiC的低溫均質外延進行加工和處理”中，結構材料工業公司（ SMI ）已開發出用于4H-SiC外延層的低溫高速CVD生長技術。目的是開發一種化學氣相沉積化學/工藝，以在低于標準溫度的情況下支持高生長速率，同時通過有效消除硅滴和其他缺陷來保持質量。使功率器件的...
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