近日，中國科學院深圳先進技術研究院、深圳先進電子材料國際創新研究院孫蓉團隊在Chemical Engineering Journal上。發表了題為Flexible liquid metal/cellulose nanofiber composites film with excellent thermal reliability for highly efficient and broadband EMI shielding的研究成果，碩士生廖思遠為論文第一作者...
近年來，世界各地的高能物理實驗涌現出較多的奇特強子態的信號，對其內部結構的研究成為強子物理領域的焦點之一。奇特強子態，是其內部結構不同于傳統夸克模型中夸克-反夸克構成的介子或三個夸克構成的重子的強子。科研人員構造模型無關的非相對論有效場論，探究對強子之間的低能散射，發現閾值附近散射振幅的一般性行為...
近日，中國科學院大連化學物理研究所太陽能研究部薄膜太陽能電池研究組研究員劉生忠團隊與陜西師范大學教授趙奎合作，在二維Dion-Jacobson （ DJ ）鈣鈦礦成膜控制研究中取得新進展，制備出高效率芳香族二維DJ鈣鈦礦太陽電池。因此，通過提升薄膜質量、優化量子阱的厚度分布，有利于提高二維鈣鈦礦太陽電池的電荷傳輸效...
中科院微電子所近期發表了先導工藝研發中心團隊在垂直納米環柵器件領域獲得的最新進展，該類型器件通過在垂直方向構建晶體管結構，大大減少了器件占用面積，在3nm以下先進集成電路制造工藝領域極具應用潛力。針對器件樣品，研究了VSAFET的特性，以及金屬硅化物工藝、 Si-Cap 、溝道Ge含量和熱處理過程等器件性能影響因素...
來自美國弗吉尼亞理工學院和州立大學以及中國蘇州晶湛半導體有限公司的研究團隊宣布，制造了具有 p-GaN 降低表面場（RESURF）結構的多通道肖特基勢壘二極管（(SBD），旨在降低峰值電場，擴展擊穿能力，同時多通道結構還降低了導通電阻，研究人員聲稱，該氮化鎵（GaN）功率器件的測量得到了最高擊穿電壓值，超過10 kV。器...
近期，中國科學院西安光學精密機械研究所瞬態光學與光子技術國家重點實驗室研究員張文富、趙衛課題組與北京大學物理學院、納光電子前沿科學中心、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室教授肖云峰、龔旗煌院士課題組合作，在集成微腔光頻梳領域取得進展。為此，研究人員引入外部控制光場，通過其與泵浦光拍頻形成的腔內光...
近日，中國科學院大連化學物理研究所催化基礎國家重點實驗室二維材料化學與能源應用研究組研究員吳忠帥團隊設計并制備出一種氮化鈮-氧化鈮異質結構納米片，可同時作為鋰硫電池的正極與負極載體，有效抑制了多硫化物的穿梭效應和金屬鋰負極枝晶的生長，應用該異質結構的鋰硫電池在貧電解液、低負正極容量比、高硫載量條件...
量子自旋液體是一種新的物質形態，可用拓撲序的長程多體糾纏來描述。研究發現， Cu3Zn ( OH ) 6FBr的晶格在4 K-300 K下沒有發生畸變，且存在E2g的磁激發連續譜，可分解為自旋子-反自旋子對（ 1P ）和雙自旋子-反自旋子對（ 2P ）的激發，與Kagome量子自旋液體的相關理論計算結果相吻合，其中1P的磁激發是自旋子激發的指...
目前，半導體主流制程主要采用硅作為主流材料。然而，由于金屬誘導隙態（ MIG ）金屬-半導體界面上的能量勢壘從根本上導致高接觸電阻和低電流傳輸能力，迄今為止限制了二維半導體晶體管的改進。臺灣大學、臺積電與美國麻省理工學院使用半金屬鉍（ Bi ）材料制作二維材料的接觸電極，可大幅降低電阻并提高電流，促進更小...
多年來，科學家們一直在努力尋找高效收集環境中的無線電波，以便為小型設備供電的新方法。不過迄今為止，這些信號的來源，始終沒能向無線網絡（Wi-Fi）那樣普及。近日，來自新加坡國立大學（NUS）的一支研究團隊，就介紹了他們新開發的一款能夠為 LED 和其它小型電子設備/ 傳感器供電的新型芯片。多年來，收集環境中的無...
美國HRL實驗室和圣母大學（ University of Notre Dame ）聲稱，在30GHz時，鎵極性氮化鎵高電子遷移率晶體管（ HEMT ）的截止頻率（ fT ）功率密度乘積為858GHzW / mm 。碳化硅（ SiC ）上的外延材料結構具有溝道結構，該溝道結構由GaN上方的漸變AlGaN層組成，該阻擋層具有25 ％的Al含量。為了降低接觸電阻，制造的晶體管...
利用各種納米加工技術制備的納米結構和器件在微納光子學、微納電子學、生物學及納米能源等領域發揮了重要作用，但同時也對納米加工的尺寸、形狀、空間排列和組裝等工藝控制提出了越來越高的要求。這種原子層組裝納米加工方法賦予了傳統的曝光和組裝技術以更強大的加工能力和潛能，在多重納米結構的可控加工中展現出較好...
有機場效應晶體管（ OFET ）作為有機電子電路的基本構筑單元，已在柔性顯示驅動、電子皮膚以及電子標簽等領域展現出應用潛力。在國家自然科學基金委員會、科技部和中國科學院的支持下，中科院化學研究所有機固體實驗室研究員郭云龍和中科院院士、研究員劉云圻與天津大學教授胡文平教授合作，基于優異的分子結構設計，利...
2020年，中國科學院院士、中科院物理研究所/北京凝聚態物理國家研究中心研究員方忠和物理所T03組博士生聶思敏（現為斯坦福大學博士后） 、特聘研究員王志俊、研究員翁紅明、香港科技大學教授戴希等（ Phys . Rev . Lett . ？ 124 , 076403.物理所EX7組博士生高順業和研究員錢天、研究員丁洪， EX10組博士后伊長江和研究...
近期，微電子所集成電路先導工藝研發中心羅軍研究員課題組與中科院半導體所王開友研究員課題組合作研制出全線性的電流誘導多態自旋軌道耦合（ SOT ）磁性存儲器件，并實現了低能耗、可編輯的突觸功能，對基于SOT-MRAM的低功耗存算一體邏輯和神經形態計算提供了一種新方法。當前，存算一體和人工智能神經網絡芯片領域亟需...
儲能技術是可再生能源發電并網和智能電網應用普及的核心技術，也是實現我國碳中和及碳達峰目標的關鍵技術之一，尤以電化學儲能為突出形式。近日，中國科學院過程工程研究所和中科院物理研究所清潔能源團隊合作，在鈉電池正極材料的規模化制備研究中取得進展，開發出“一步機械化學法”快速制備鈉電池聚陰離子正極材料氟...
近期，中國科學院上海光學精密機械研究所薄膜光學實驗室揭示了Epsilon-Near-Zero （ ENZ ）材料在超快激光作用下束縛電子和自由電子的競爭行為，提出了同步調控ENZ材料飽和吸收（ SA ）與反飽和吸收（ RSA ）的原理及方法，拓寬了其在ENZ波段的非線性光學響應調控能力。該研究中，研究人員探究了典型ENZ材料（氧化銦錫）...
來自名城大學、三重大學，旭化成公司和名古屋大學的研究小組實現了13.3kA / cm2的電流密度閾值，迄今為止，這是以300nm波長發射的UV-B激光二極管（ LD ）的最低閾值電流密度，他們的工作重點是優化波導厚度和包層結構。諧振器長度為2000 μ m ， p電極寬度為10 μ m的激光二極管的激光閾值電流密度為14.2kA/cm2 ，而該小...
日本富士通宣布，該公司實現并首次演示了AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（ HEMTs ）在X波段（ 8 - 12GHz ）的高功率射頻（ RF ）操作。與在傳統碳化硅（ SiC ）上生長的結構相比，使用AlN襯底可以使Al含量較高的AlGaN緩沖液與GaN二維薄電子通道（ 2DEG ）結合使用。AlN HEMT的最大漏極電流達到1A / mm以上，但SiC上的器件...
近日，中國科學院深圳先進技術研究院集成所功能薄膜材料研究中心研究員唐永炳及其研究團隊，通過開發高電壓濃縮電解液顯著提升了雙離子電池的循環性能與能量密度。相比于傳統鋰離子電池，雙離子電池通常采用石墨作為正極并依靠陰離子插層實現儲能，因此具有工作電壓高、成本低、環保等優點，在規模化儲能領域應用前景廣...
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