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納微半導體推出全球首款智能GaNFast氮化鎵功率芯片

稿件來源:Navitas 責任編輯:ICAC 發布時間:2021-11-22

   2021年11月5日,納微半導體(Navitas Semiconductor)宣布推出新一代采用GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術集成了關鍵、實時、智能的傳感和保護電路,進一步提高了納微半導體在功率半導體行業領先的可靠性和穩健性,同時增加了納微氮化鎵功率芯片技術的節能和快充優勢。GaNSense技術集成了對系統參數的實時、準確和快速感應,包括電流和溫度的感知,可額外提高10%的節能效果,可在空閑模式時自動降低待機功耗,并能夠進一步減少外部元件數量,縮小系統的尺寸。如果氮化鎵功率芯片識別到有潛在的系統危險,該芯片將迅速過渡到逐個周期的關斷狀態,以保護器件和周圍系統。迄今已有超過3000萬顆納微GaNFast氮化鎵功率芯片出貨,在現場測試實現了超過1160億個設備小時,并且沒有任何現場故障的報告。

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