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多量子阱(MQW)III氮化物二極管陣列的同時發射檢測能力

稿件來源:今日半導體 責任編輯:ICAC 發布時間:2020-10-26

  中國和日本的研究人員一直在探索多量子阱(MQW)III氮化物二極管陣列的同時發射檢測能力。研究團隊希望可以用這種多功能設備,開發用于物聯網(IoT)部署的先進整體式III族氮化物信息系統。

  III族氮化物二極管具有發射和檢測光的能力。研究人員成功地組合了這些功能,同時執行了這些功能。

  MQW二極管陣列是在藍寶石材料上使用2英寸直徑的III型氮化物制造的。使用感應耦合等離子體反應離子蝕刻將n-GaN接觸層暴露到750nm的深度。通過蒸發技術將氧化銦錫透明導體材料施加到p-GaN接觸層上,然后進行退火。剝離工藝用于沉積和構圖用于n電極和p電極的鉻/鉑/金金屬。

  4x4陣列中的設備通過填充有二氧化硅絕緣層的溝槽,結合墊和金屬線由鈦/鉑/金形成。各個MQW二極管的尺寸為1mmx1mm。

  442nm波長的電致發光峰與光響應光譜的尾部有36nm的重疊。兩個陣列元素之間的通信通過偽隨機二進制序列(PRBS)調制達到了每秒2k位的速率。二進制脈沖調制的峰谷電壓差為1.6V。檢測到的信號約為1.5mV高。

  研究人員實現了自動光亮度控制設置,其中405nm激光指示器可以發出編碼的脈沖序列,該脈沖序列將被陣列檢測到,然后由控制電路進行解釋,以考慮環境光條件將光輸出調整到所需的水平通過反饋。

  該團隊正在開發電路,以有效提取光電流,同時這些器件也同時作為LED工作。同時照明成像系統具有三種操作模式:照明、成像和同時照明成像。這意味著micro-LED屏幕可以同時顯示圖像。環境光條件的變化會在芯片內部產生光電流,從而允許反饋信號來控制操作。

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