模塊名稱

主要特征

主要用途

雙面光刻

雙面對準精度1.5μm

晶圓背面圖形化

低應力多晶硅淀積

應力-40~+40MPa

MEMS結構層或犧牲層

XeF2腐蝕

SiO2選擇比：>600:1

SiNx選擇比：>60:1

MEMS結構釋放

HF Vapor

無粘連氧化硅各向同性腐蝕

MEMS結構釋放

DRIE

深寬比：<50:1

MEMS結構加工

BESOI

頂硅厚度：10~100μm

BOX層厚度：0.5~10μm

MEMS結構材料

Cavity SOI

Cavity尺寸：

1×1~1000×1000μm2

MEMS結構材料

Al-Ge鍵合

鍵合環寬：>70μm

強度：>70MPa

晶圓級封裝

Au-Sn鍵合

鍵合環寬:>120μm

強度：>60MPa

晶圓級封裝