近日，中國科學院微電子研究所研究員Henry Radamson和副研究員王桂磊在先導中心8英寸平臺上成功制造絕緣體上張應變鍺（TSGOI）晶圓。該項技術突破，實現了工藝過程中對Ge的誘導應變微調，使Ge的帶隙改變為0.7eV。以此類Ge襯底制備的PMOS器件實現了506cm2V-1s-1的高空穴遷移率。這一成果為微電子學和光子學的單片集成提供了新的路徑和解決方案。
TSGOI晶圓的俯視圖及其橫截面
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