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崗位名稱:納米CMOS器件及集成工藝研發
招聘人數:3人
所需專業:微電子學與固體電子學
學歷要求:碩士及以上
崗位職責:1.負責高遷移率溝道導入、鈍化、源漏工程等關鍵模塊研發;2.負責高遷移率溝道FinFET或水平堆疊環柵納米CMOS器件集成工藝研發;3.負責高遷移率溝道FinFET、水平堆疊環柵等納米器件的研發;4.負責納米CMOS器件電學特性測試分析及優化;5.參與相關科研項目申請、報告、結題等工作。
崗位要求:電子類相關專業,碩士及碩士以上學歷;工作態度認真負責,做事積極主動,具有較強溝通、學習和動手能力,工作認真負責、善于學習、具有良好的團隊合作精神;對半導體器件和工藝有深入的理解,熟悉納米CMOS集成工藝,具備CMOS器件電學性能分析和優化能力;有半導體器件和工藝研發經驗者優先。
聯系人:李永亮
Email:liyongliang@ime.ac.cn
崗位名稱:MEMS傳感器研發工程師
招聘人數:1人
所需專業:微電子學
學歷要求:碩士及以上
崗位職責:設計MEMS傳感器結構,并對結構開展多物理場仿真;開展MEMS傳感器的工藝流程設計;開展傳感器性能測試;進行傳感器的應用開發,為客戶提供解決方案;發表論文,申請專利。
崗位要求:微電子、電子科學與技術、精密儀器等專業的碩士及以上;應屆畢業生,或具有1年以上工作經驗;熟悉微電子工藝,熟悉MEMS傳感器結構及工藝;熟悉Comsol、Ansys、IntelliSuite等器件結構仿真軟件;有MEMS紅外、氣體、濕度、溫度、微流體、磁傳感器研發經驗者優先;熟悉傳感器信號處理電路者優先;熟悉MEMS工藝者優先。
聯系人:毛海央
Email:maohaiyang@ime.ac.cn
崗位名稱:后摩爾新材料及新原理器件技術研究
招聘人數:1人
所需專業:物理學、微電子學
學歷要求:碩士及以上
崗位職責:高通量材料計算,自旋/谷電子學器件,模擬神經計算器件理論設計;相關TCAD計算方法和工具開發。
崗位要求:1.對凝聚態物理、固體材料學有較深理解,了解半導體器件基本原理。2.具有DFT或其他計算方法對納米微結構物理特性的研究背景。3.具有較強編程能力或對機器學習感興趣者優先。
聯系人:吳振華
Email:wuzhenhua@ime.ac.cn
崗位名稱:CMOS器件研發
招聘人數:1人
所需專業:物理學、微電子學
學歷要求:碩士及以上
崗位職責:3nm節點以下CMOS器件研發及path finding PDK相關, 主要研究方向為新型鐵電器件,GAAFET,高遷移率溝道,三維集成.單元電路設計優化。
崗位要求: 1.具有良好的半導體器件物理與集成電路基礎,2.具備TCAD仿真經驗;3.熟悉Linux系統、有一定編程能力者優先考慮。
聯系人:吳振華
Email:wuzhenhua@ime.ac.cn
崗位名稱:器件模型與電路設計工程師
招聘人數:2人
所需專業:微電子,集成電路,半導體,電子信息技術,物理,材料
學歷要求:碩士及以上
崗位職責:3nm以下新型3D器件建模和電路設計
崗位要求:具有一定的半導體物理、器件和工藝、電路設計的知識基礎,具備相關項目開發經驗,擁有較強科研興趣和鉆研潛質,踏實勤奮
聯系人:殷華湘
Email:yinhuaxiang@ime.ac.cn
崗位名稱:工藝/整合工程師
招聘人數:2人
所需專業:微電子或物理、化學、化工、材料等
學歷要求:碩士及以上
崗位職責:
1.負責先進半導體器件工藝的調研及研發
2.負責集成電路/半導體工藝流程開發,以及工藝開發整合及優化
3.協助對器件和簡單電路版圖方案進行設計和優化,負責器件測試和結果分析及改進。
崗位要求:
1.工作態度認真負責,積極主動,有較強的學習、創新和溝通協調能力
2.能熟練查找閱讀分析中英文文獻
3.熟悉半導體工藝制程,有集成電路器件研發經驗者優先
聯系人:朱慧瓏
Email:zhuhuilong@ime.ac.cn
聯系人:張永奎
Email:zhangyongkui@ime.ac.cn
崗位名稱:微系統設計工程師
招聘人數:2人
所需專業:電子科學與技術、材料
學歷要求:碩士及以上
崗位職責:負責先進微系統的結構仿真設計、器件選型、工藝開發、性能測試,以及相關項目的材料撰寫、項目爭取以及項目推進等工作。參與項目組中先進MEMS傳感器的設計與工藝開發,并配合項目組完成相關項目的申請、推進以及結題等工作。
崗位要求:需要了解集成電路基本工藝、熟悉各種芯片封裝技術、熟練掌握Ansys等有限元仿真軟件、年齡40歲以下,碩士及以上
聯系人:焦斌斌
Email:jiaobinb@ime.ac.cn
崗位名稱:硅光研發博士后
招聘人數:2人
所需專業:微電子學與固體電子學
學歷要求:博士
崗位職責:負責跟蹤硅光發展趨勢和前沿研究,負責硅基光電器件與集成的前沿研究,負責或參與無源或高速硅基光電子器件研究、SOI硅光器件與芯片理論分析、設計、版圖;負責或參與新型硅光器件的研究探索;負責或參與硅基光電集成研究;參與硅光芯片工藝制備和測試;參與硅光項目申請與實施;參與指導碩博士研究生。
崗位要求:1.博士學位,EE及光電子等相關專業,35歲以下。 2.有SOI無源或高速光器件與芯片設計與流片經歷,有硅光新材料研究經歷優先。3.熟悉Lumerical等光電子仿真設計軟件及版圖軟件。 5.工作態度積極,責任心強,執行力強,能獨立承擔研究課題的主要研究任務。6流利的英語讀寫能力。
聯系人:李志華
Email:lizhihua@ime.ac.cn
崗位名稱:光電測試工程師
招聘人數:1人
所需專業:電子與信息類、光學工程類
學歷要求:本科及以上
崗位職責:1.根據項目進度制定相應的測試計劃;
2.如期按照測試用例完成項目測試,包含光學參數測試、電光參數測試、直流電參數測試;
3.對測試數據進行整理后輸出測試報告;
4.對測試過程中的異常及時進行跟蹤并與相關人員分析和解決;
5.對測試用例以及測試數據進行日常管理和維護;
6.對測試理論和方法進行探索和創新,提高測試質量。
崗位要求:1.熟悉各類光電器件及其測試原理和測試方法;
2.能熟練使用芯片光學測試、電光測試、光電測試及高速測試設備;
3.仔細、動手能力強,能獨立設計和完成測試實驗;
4.電子、微電子、光電子相關專業,本科以上學歷,2年以上工作經驗。
聯系人:李志華
Email:lizhihua@ime.ac.cn
崗位名稱:工藝整合工程師
招聘人數:1人
所需專業:電子與信息類、光學工程類
學歷要求:碩士及以上
崗位職責:
1、產品工藝流片:負責成熟工藝產品的流片工作,按照系統流程進行流片,做好關鍵步驟檢查監控;
2、新工藝研發,流程制定,實驗設計;
3、優化工藝流程,提高工藝穩定度,降低成本;
4、 監控線上產品狀態、inline測試數據,分析電學、光學參數以及良率;
5、設計(design & layout)電學測試結構;
6、產品tapeout:新產品及成熟產品的版圖檢查。
崗位要求:
1、本科以上學歷,電子、微電子、光電子等相關專業;
2、2年以上工藝整合或器件等相關工作經歷,熟悉半導體工藝制程;
3、有8吋晶圓廠經驗者優先。
聯系人:李志華
Email:lizhihua@ime.ac.cn
崗位名稱:集成電路先導工藝研發人員
招聘人數:2人
所需專業:微電子學固體電子學
學歷要求:博士
崗位職責:從事集成電路先導工藝研發,主要包括FDSOI、MRAM或先進源漏工程相關研究工作。
崗位要求:熟練掌握集成電路器件和工藝集成相關知識和技能,博士研究生學歷,35歲及以下,具有微電子或半導體相關研究或工藝線工作經驗者優先,具備良好的團隊合作精神。
負責人:羅軍
Email:luojun@ime.ac.cn
崗位名稱:半導體器件集成工程師
招聘人數:2人
所需專業:微電子固體與物理、微電子
學歷要求:博士
崗位職責:
1.研究方向包括:半導體材料和器件、納米光子學、納米電子學等
2.負責新型半導體材料生長、器件研究,包括材料結構設計以及生長制備,材料和器件表征測試、新型器件仿真與建模,器件制備工藝等。
3.負責科研項目的申請和實施。
崗位要求:
1圍繞半導體材料與器件、微電子固體和物理相關專業、光電子等相關研究方向
2.年齡一般不超過35周歲,思想品德端正、身體健康
3.在國內外已取得或即將取得博士學位,能獨立開展實驗或理論工作,且已經取得突出的研究成果
4.流利的英語讀寫能力,具有獨立撰寫英文文章的經驗。
聯系人:Henry
Email:rad@ime.ac.cn
聯系人:王桂磊
Email:wangguilei@ime.ac.cn
崗位名稱:刻蝕/外延工程師
招聘人數:2人
所需專業:微電子、材料、物理、化學
學歷要求本科及以上
崗位職責:
負刻蝕和外延等芯片制作關鍵工藝
崗位要求:
1. 工作態度認真負責,做事積極主動,有較強溝通能力;
2. 能熟練閱讀相關中英文獻,有自主分析解決問題的能力;
3. 熟悉刻蝕、外延或MOCVD薄膜沉積工藝等,具有半導體工藝開發經驗者優先考慮。
聯系人:李俊峰
Email:lijunfeng@ime.ac.cn
綜合新聞