6月1日，“2021集成電路設計自動化前沿技術研討會”在北京國際會議中心召開。本次會議由中科院微電子所主辦，中科院微電子所EDA中心（三維及納米集成電路設計自動化技術北京市重點實驗室）承辦。國家科技重大專項02專項專家組總體組組長葉甜春，中科院微電子所黨委書記、副所長（主持工作）戴博偉，華大九天董事長劉偉平...
導體制造業的水資源管理可分為三個方面:用水、廢水管理以及再生水。廢水管理中的“廢水”一般指“因含有液態或固態污染物而無法直接使用的水” ,半導體工業廢水主要在晶圓清洗工藝和廢氣處理設備處理污染物后排放.因此,在全世界對半導體的需求持續增長的情況下,水資源管理對于推進綠色半導體工程而言是重中之重,對于中國...
美國科學家在最新一期《物理學評論快報》雜志撰文指出，他們開發了一種新方法，合成出了一種擁有六邊形結構的新型晶型硅，這種晶型硅有可能被用于制造新一代電子和能源器件。雖然從理論上來說，很多硅的同素異形體擁有更好的物理性能，但由于缺乏合成途徑，因此，很難發揮硅的最大潛力。”以前曾有其他科學家合成出六邊...
鋰硫電池是以硫元素為電池正極，鋰為負極的一種鋰電池，具有價格低廉、環境友好、理論能量密度高等特點，被視為高比能電池中最具潛力的鋰離子電池技術之一。作為鋰硫電池的關鍵組成部分，電極材料的設計和制備對電池整體性能提升意義重大。近日，中科院大連化學物理研究所研究員吳忠帥團隊，設計并制備出一種氮化鈮—氧...
5月30日，中國科學院第二十次院士大會舉行學部第七屆學術年會全體院士學術報告會。中科院院士黃如在報告會上探討了后摩爾時代集成電路技術的發展態勢。她說，當前，集成電路技術發展進入重要的歷史轉折期，線寬縮小不再是唯一技術路線，而是走向功耗和應用為驅動的多樣化發展路線，技術革新呈現 N 分天下的態勢。進入后...
中科院微電子所近期發表了先導工藝研發中心團隊在垂直納米環柵器件領域獲得的最新進展，該類型器件通過在垂直方向構建晶體管結構，大大減少了器件占用面積，在3nm以下先進集成電路制造工藝領域極具應用潛力。針對器件樣品，研究了VSAFET的特性，以及金屬硅化物工藝、 Si-Cap 、溝道Ge含量和熱處理過程等器件性能影響因素...
不久前，包括中國科學家在內的國際團隊研發出一種比發絲直徑還小的“微型千紙鶴”，在電壓的作用下，不到一秒就可以自動從平面折疊完成。作為一種大小只有幾十微米的新型微型驅動器，這種充滿想象力的千紙鶴是微納米機器人研發領域的又一突破，有助于未來在微納米水平上完成復雜而精細的工作。 人們對微納米機器人的暢想...
“目前科學界更需要關注的是灰色地帶的誠信問題，比如，用不實、浮夸方式報道自己的成果。中國科學院第二十次院士大會期間，中國科學院學部舉行了“弘揚科學家精神和加強學風建設”報告會。在此基礎上，結合本次院士大會召開，經中國科學院學部主席團研究審議，決定舉辦此次道德學風報告會。？這是中國科學院學部首次在...
目前，半導體主流制程主要采用硅作為主流材料。然而，由于金屬誘導隙態（ MIG ）金屬-半導體界面上的能量勢壘從根本上導致高接觸電阻和低電流傳輸能力，迄今為止限制了二維半導體晶體管的改進。臺灣大學、臺積電與美國麻省理工學院使用半金屬鉍（ Bi ）材料制作二維材料的接觸電極，可大幅降低電阻并提高電流，促進更小...
近期，微電子所集成電路先導工藝研發中心羅軍研究員課題組與中科院半導體所王開友研究員課題組合作研制出全線性的電流誘導多態自旋軌道耦合（ SOT ）磁性存儲器件，并實現了低能耗、可編輯的突觸功能，對基于SOT-MRAM的低功耗存算一體邏輯和神經形態計算提供了一種新方法。當前，存算一體和人工智能神經網絡芯片領域亟需...
來自名城大學、三重大學，旭化成公司和名古屋大學的研究小組實現了13.3kA / cm2的電流密度閾值，迄今為止，這是以300nm波長發射的UV-B激光二極管（ LD ）的最低閾值電流密度，他們的工作重點是優化波導厚度和包層結構。諧振器長度為2000 μ m ， p電極寬度為10 μ m的激光二極管的激光閾值電流密度為14.2kA/cm2 ，而該小...
科技是第一生產力，但并不簡單等同于生產力，只有把具有實用價值的科技成果商品化、產業化，科技才能變成生產力。筆者呼吁，高校和科研院所要更加重視科研管理人員在科技成果轉化中的作用，出臺相應的針對性激勵措施，鼓勵科研管理人員深度參與高校和科研院所成果轉化，特別是重大科技成果的轉化。筆者也建議，深度參與...
中國科學技術大學郭光燦院士團隊郭國平、李海歐研究組與本源量子計算公司等合作，對集成微磁體的硅基量子點進行研究，發現了自旋量子比特操控的各向異性：通過改變外加磁場與硅片晶向的相對方向，可以將自旋量子比特的操控速率、退相干速率、可尋址性進行同時優化。然而，嵌入微磁體的硅基量子點會大幅增加電荷噪聲對量...
隨著人工智能、物聯網等新興信息技術的發展，信息處理已由計算密集型向數據密集型轉移，亟需具有非結構化數據處理能力的低延時、低能耗邊緣計算系統，滿足終端設備對未來海量非結構化數據處理能力的需求。受生物啟發的脈沖神經網絡（ SNN ）因其使用稀疏、異步的脈沖序列作為輸入/輸出，并以存內計算的方式處理信息而具...
中國科學技術大學25日發布消息，該校李傳鋒、周宗權研究組近期成功將光存儲時間提升至1小時，大幅刷新8年前德國團隊創造的1分鐘的世界紀錄，向實現量子U盤邁出重要一步。光的存儲在量子通信領域尤其重要，因為用光量子存儲可以構建量子中繼，從而克服傳輸損耗建立遠程通信網。另一種遠程量子通信解決方案是量子U盤，即把...
韓國的研究人員聲稱，針對柵長超過100nm的RF晶體管，采用硅電路的三維單片集成（M3D），可以實現最高截止頻率和最大振蕩頻率。研究人員認為，III-V材料與硅電路的結合將促進毫米波范圍內的混合信號射頻模擬和數字邏輯功能的發展。III-V材料可通過分子束外延（MBE）在磷化銦（InP）襯底上生長。溝道區是砷化銦鎵（InGaAs...
來自新加坡麻省理工學院科技聯合項目（SMART）的低能耗電子系統（LEES）跨學科研究小組（IRG）與麻省理工學院（MIT）和新加坡國立大學（NUS）共同找到了一種方法，以量化不同銦濃度下氮化銦鎵（InGaN）量子阱（QWs）中成分波動的分布。InGaN發光二極管因其高效率、耐用性和低成本徹底改變了固態照明。可以通過改變InGaN...
鋰離子電池和超級電容器是常用的電化學儲能器件。傳統鋰離子電池受限于遲緩的體相反應，功率性能較差；超級電容器利用快速表面過程存儲電荷，能量密度較低，這兩個“種子選手”并不適用于對能量和功率密度都有較高要求的應用場景。近日，中國科學院大連化學物理研究所研究員吳忠帥團隊在混合型電化學儲能器件研制方面取...
氮化鋁具有6.1eV的超寬帶隙，這對于制造大功率和高壓電子產品而言具有誘人的吸引力，同時在約200nm波長范圍內兼有深紫外光電子學的潛力。寬帶隙材料在實現高電導率方面具有挑戰性。改善AlN中的電導率涉及降低螺紋位錯和鋁空位硅（VAl-nSi）絡合物的密度。這些缺陷通過俘獲淺至約70meV供體態的電子，降低了硅作為摻雜劑的...
超寬禁帶半導體是指禁帶寬度大于3.4eV的半導體材料，它的擊穿電場、熱導率、電子遷移率等性能，以及耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射的能力均優于現有大規模應用的寬禁帶半導體材料，在超高壓電力電子器件、射頻電子發射器、深紫外光電探測器和量子通信等領域具有廣闊的應用前景。阿卜杜拉國王科技大學研究人員在藍寶石襯底...
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