新加坡IGSS GaN Pte Ltd（IGaN）指出，近年來，由于GaN功率和RF器件在各種應用中的采用越來越多，GaN基產品的需求不斷增長。該公司開發并商業化了GaN-on-Si/SiC外延晶片和專有的8英寸（200毫米）GaN制造技術，用于功率、RF和傳感器應用。GaN基材料的寬禁帶可提供顯著的擊穿電場和高漂移速度，適用于制造大功率和高頻器件。

　　由于III型氮化物材料與硅襯底之間存在材料特性差異，給實際應用帶來了技術挑戰。這樣的問題之一是在III型氮化物/硅界面處形成了寄生通道，這會導致寄生損耗，嚴重降低設備的輸出功率、功率增益和效率。對于RF應用，硅上的GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）的關鍵要求是減少AlN/Si界面的傳導損耗。由于反應器中Al和Ga殘留物的摻雜而使AlN/Si界面變得導電，因此反應器的預處理和硅基板上第一AlN層的生長條件對于抑制傳導損耗至關重要。

　　IGaN的技術具有實現極低傳導損耗的獨特優勢，符合用于射頻應用的硅基GaN HEMT的行業標準。對于10GHz的工作頻率，最近處理的IGaN 150mm硅上GaN HEMT晶片在室溫下的傳導損耗為0.15dB，在高溫下的傳導損耗為0.23dB。除了傳導損耗測試外，IGaN還實施了一種快速方法，可在晶圓廠加工之前篩選出性能不佳的GaN外延片。如果外延片襯底具有高傳導性，則可以避免下游加工晶圓和封裝器件的潛在浪費和損失，IGaN表示，高傳導損耗外延片的早期檢測對于RF GaN器件的批量生產至關重要。

原文題目：

IGaN achieves low conduction loss with GaN-on-Si epi for RF applications 

原文來源：

  http://www.semiconductor-today.com/news_items/2020/oct/igan-261020.shtml