三星電子(Samsung Electronics)2020 年 3 月 25 日宣布,已經(jīng)出貨 100 萬業(yè)界首款 10nm EUV級(jí)(D1x)DDR4 DRAM模組,并完成全球客戶評(píng)估,這為今后高端 PC、手機(jī)、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
EUV(極紫外光刻)工藝是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造工藝,EUV光刻機(jī)也被認(rèn)為是完成7nm以下制程的重要途徑。三星率先將EUV工藝用到DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)上,可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復(fù)步驟,并進(jìn)一步提升產(chǎn)能。
三星表示,將從第四代 10nm級(jí)(D1a)DRAM或高端級(jí)14nm級(jí) DRAM開始全面導(dǎo)入 EUV,明年基于 D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片,預(yù)計(jì)會(huì)使 12 英寸晶圓的生產(chǎn)率翻番。
雖然目前支持 DDR5內(nèi)存的PC平臺(tái)還沒有出現(xiàn),不過內(nèi)存芯片卻在各大存儲(chǔ)器大廠的推動(dòng)下逐漸開始接近上市。三星量產(chǎn)的第一代EUV DDR5 DRAM 單芯片容量為 16Gb(2GB),地點(diǎn)是平澤市的 V2線。
除了 10nmEUV 工藝的存儲(chǔ)芯片外,三星也正在推進(jìn)5nm及以下制程的EUV工藝。外媒報(bào)道稱,三星已經(jīng)從半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)商那里訂購了5nm 工藝生產(chǎn)的相關(guān)設(shè)備,目前已經(jīng)開始在華城 V1 工廠內(nèi)建立了一條 5nm 的晶圓代工生產(chǎn)線。據(jù)悉相關(guān)的設(shè)備組裝需要兩個(gè)多月,按照進(jìn)度來看,今年 6 月份以前,三星應(yīng)該能夠安裝完所有的設(shè)備。三星將在今年年底進(jìn)行 5nm EUV 工藝的量產(chǎn)。在三星 5nm 正式量產(chǎn)后,將負(fù)責(zé)高通下一代 5nm 旗艦芯片和 X60 5G 基帶芯片的生產(chǎn)。
摘譯自:
| 相關(guān)新聞: |
| 國(guó)外正在關(guān)注這些集成電路新技術(shù) |
| 開發(fā)超低功耗黑磷隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管延續(xù)摩爾定律 |
| 《超越摩爾定律的外延設(shè)備技術(shù)及市場(chǎng)趨勢(shì)2020》 |
綜合新聞