近日，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織（ISO）正式發(fā)布了微束分析領(lǐng)域中一項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)“基于測(cè)長(zhǎng)掃描電鏡的關(guān)鍵尺寸評(píng)測(cè)方法”，該標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理學(xué)院和微尺度物質(zhì)科學(xué)國(guó)家研究中心丁澤軍團(tuán)隊(duì)主導(dǎo)制定，是半導(dǎo)體線寬測(cè)量方面的首個(gè)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，也是半導(dǎo)體檢測(cè)領(lǐng)域由中國(guó)主導(dǎo)制定的首個(gè)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布有助于促進(jìn)半導(dǎo)體評(píng)測(cè)技術(shù)的發(fā)展，并提升我國(guó)在半導(dǎo)體行業(yè)的國(guó)際影響力和競(jìng)爭(zhēng)力。

　　半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展對(duì)集成電路器件加工尺寸的控制要求日趨精細(xì)。芯片上的物理尺寸特征被稱為特征尺寸，其中最小的特征尺寸被稱為關(guān)鍵尺寸，其大小代表了半導(dǎo)體制造工藝的復(fù)雜性水平。對(duì)關(guān)鍵尺寸測(cè)量也可稱為納米尺度線寬測(cè)量，目前半導(dǎo)體的刻蝕線寬已經(jīng)降到10納米以下，其測(cè)量的精準(zhǔn)性直接決定著器件的性能。納米器件尺度的準(zhǔn)確和精確（精度<1納米）測(cè)量技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展起著至關(guān)重要的作用。

　　丁澤軍團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)期從事電子束與材料相互作用領(lǐng)域的基礎(chǔ)研究，發(fā)展了目前國(guó)際上最為先進(jìn)的用于掃描電子顯微術(shù)和表面電子能譜學(xué)的Monte Carlo模擬計(jì)算方法，他們結(jié)合“基于模型數(shù)據(jù)庫(kù)”方法，提出了該“基于測(cè)長(zhǎng)掃描電鏡的關(guān)鍵尺寸評(píng)測(cè)方法”的ISO國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。與傳統(tǒng)經(jīng)驗(yàn)閾值方法相比，該測(cè)量方法能夠給出準(zhǔn)確的關(guān)鍵尺寸值，并且把線寬測(cè)量從單一參數(shù)擴(kuò)展到包含結(jié)構(gòu)形貌特征的信息，適用于如晶圓上的柵極、光掩模、尺寸小至10納米的單個(gè)孤立的或密集的線條特征圖案，這不僅為半導(dǎo)體刻蝕線寬的基于關(guān)鍵尺寸掃描電鏡的準(zhǔn)確評(píng)測(cè)確定了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，也為一般性納米級(jí)尺寸的其它測(cè)量法提供了參考。