Transphorm公司已經開始發售其第五代GaN FET，符合JEDEC和AEC-Q101標準，包括650V和900V產品，用于高壓功率轉換應用。這是其專有的SuperGaN品牌下的首款第五代產品。

　　TP65H015G5WS瞄準了電動汽車市場，并提供了SuperGaN器件系列所固有的業界領先的性能增強，易設計性和優化的成本結構。該公司表示其第五代GaN解決方案提供了最低的導通電阻，并且與標準TO-247-3封裝中的碳化硅（SiC）相比功耗降低了25％，從而增強了GaN在電動汽車電源轉換中的潛力。

　　3月，汽車零部件供應商Marelli宣布與Transphorm建立戰略合作關系，以合作開發基于GaN的新型汽車/ EV電源轉換解決方案，包括車載充電器（OBC），DC/DC轉換器和電動/混合動力汽車的動力總成逆變器。

　　“Transphorm完成了通過半橋式拓撲的分立GaN器件實現10kW功率的演示，這進一步驗證了GaN用于電動汽車轉換器和逆變器的前景。” Marelli Electric Powertrain首席執行官Joachim Fetzer博士評論道。：“作為我們先前宣布的合作伙伴關系的一部分，我們將繼續評估Transphorm的行業領先的GaN器件，并共同努力以支持多年的EV系統產品路線圖?！?/p>

　　Transphorm的創始人兼首席運營官 Primit Parikh表示：“我們將繼續創新Transphorm的SuperGaN FET技術，現在以市場上標準的TO-247-3封裝提供世界上最低的導通電阻，目標市場是電動汽車和其他高功率轉換應用。這將使客戶能夠通過單個產品將功率提高到上萬瓦，從而證明GaN具有更高性能，更低系統成本和更高功率密度的能力。我們的第五代GaN平臺正在為以前需要并聯的應用創造新的設計機會，同時仍保持超過99％的效率。”

　　SuperGaN技術勝過SiC

　　SuperGaN 第五代平臺完美繼承并解決了上一代的所有經驗及教訓：獲得專利的減小的封裝電感技術，易設計性和可驅動性（4V的Vth以獲得抗噪聲性）以及+/- 20Vmax的柵極魯棒性，以及簡化的結構。這兩款器件均可在半橋同步升壓轉換器中以70kHz的頻率運行，最高可驅動12kW的功率，從而使Transphorm的GaN器件損耗降低了25％。

　　該公司表示，Transphorm已開始對15mΩ 650V器件SuperGaN Gen V FET進行樣品申請，由于其柵極靈敏度，該技術無法與現有的單芯片增強型GaN技術一起使用。與市場上典型的最低內阻的SiC MOSFET分立器件相比，該解決方案能夠根據目標應用驅動超過10kW的功率，例如EV OBC和動力總成逆變器，機架式數據中心服務器的電源，不間斷的工業電力應用以及可再生光伏逆變器。TP65H015G5WS也將用于裸片級模塊解決方案，這些解決方案可通過進一步的并聯以實現更高的功率。

　　該公司預計其第五代FET器件將在2021年中期獲得JEDEC認證，之后有望獲得AEC-Q101認證。