近日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員王浩敏課題組、南京航空航天大學教授張助華團隊、中國科學院上海技術物理研究所研究員胡偉達團隊開展研究。合作團隊對水吸附鋸齒型BNNR（zBNNR）的帶隙調制進行系統研究。計算結果表明，吸附在zBNNR兩側的水產生了超過2 V/nm的橫向等效電場，從而縮小zBNNR的帶隙。通過邊緣吸附水分子，研究首次測量了zBNNR器件的柵極調制輸運和其對紅外光譜的光電響應，這利于基于hBN的光電性質的同質集成。該研究為實現基于六方氮化硼的電子/光電子器件和電路提供了新思路。

　　相關研究成果以Water induced bandgap engineering in nanoribbons of hexagonal boron nitride為題，在線發表在《先進材料》（Advanced Materials）上。

　　研究工作得到國家自然科學基金、中國科學院戰略性先導科技專項（B類）、國家重點研發計劃與博士后創新人才支持計劃等的支持。 

　　論文鏈接 

a.？在hBN表面上，Zn納米粒子蝕刻出兩個平行溝槽之間的zBNNR；b.？不同寬度BNNR的原子力顯微鏡（AFM）高度圖像。比例尺為50 nm。c.？水分子以六方冰形式吸附在zBNNR兩側邊緣的結構示意圖，由此誘導產生橫向電場。

a.？8nm寬的zBNNR器件在300K下，V_ds從1V到50V，背柵電壓V_g從-65V到65V下的輸運曲線，開/關比超過10³；b.？不同寬度zBNNR的輸運曲線；c.？器件的場效應和光電流開/關比與zBNNR寬度的關系；d.？在功率為35mW的1060nm激光照射下，兩個zBNNR器件中隨時間變化的光電流。它們的寬度分別為33nm和8.5nm。