中國科學(xué)院化學(xué)研究所有機(jī)固體院重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室林禹澤課題組在高性能近紅外有機(jī)光伏材料與光電器件方面開展了相關(guān)研究，并取得了系列進(jìn)展。近日，該課題組設(shè)計(jì)合成了一種具有高Mulliken電負(fù)性的含氰醌式端基，4-二氰基亞甲基-1-萘醌（QC）。基于該端基構(gòu)筑的超窄帶隙受體材料實(shí)現(xiàn)了硅帶隙以下的高靈敏光電探測。端基QC結(jié)合了醌類分子的還原誘導(dǎo)芳香穩(wěn)定性和氰基的強(qiáng)吸電子特性，表現(xiàn)出明顯高于目前常用端基（4.61~5.46 eV）的Mulliken電負(fù)性（5.62 eV）。與常用端基3-(二氰基亞甲基)靛酮相比，QC端基構(gòu)筑的小分子受體材料的光學(xué)帶隙普遍減小了0.40-0.45 eV，最小的光學(xué)帶隙可窄至0.77 eV。在光伏模式下，二極管型近紅外OPD器件在0.41~1.2 μm的寬響應(yīng)范圍內(nèi)獲得了超過10¹² Jones的比探測率，在1.02 μm處獲得了最大值2.9 × 10¹² Jones。雖然可探測的波長極限短于InGaAs探測器，但該OPD器件在0.9~1.2 μm范圍內(nèi)的D*值已與商用InGaAs探測器相當(dāng)，高于商用的Ge探測器?；诟哽`敏近紅外OPD器件，林禹澤課題組與合作者實(shí)現(xiàn)了寬范圍（0.4~1.25 μm）的光譜準(zhǔn)確測量以及硅帶隙以下1.2 μm近紅外Ⅱ區(qū)成像。 

　　該研究由化學(xué)所、吉林大學(xué)和浙江大學(xué)合作完成。相關(guān)研究成果近日發(fā)表在《科學(xué)進(jìn)展》（Science Advances）上，并入選當(dāng)期Featured Image。研究工作得到國家自然科學(xué)基金和中科院的支持。  

基于高電負(fù)性端基的超窄帶隙材料的OPD實(shí)現(xiàn)1.2 μm近紅外Ⅱ區(qū)成像  

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