據歐洲電子資訊4月18日報道，英特爾已在其位于俄勒岡州希爾斯伯勒的D1工廠與歐洲研究團隊Qtech（代爾夫特技術大學（TU-DFT）和荷蘭應用科學研究組織（TNO）的合作組織）合作制造“硅量子比特”。這是該工廠首次大規模制造量子比特。英特爾稱，該公司可以生產超過1萬個具有多個硅量子位的陣列，同時晶圓良率達到95%或更高。
量子點位于Si/SiO2界面，允許良好的隧道勢壘控制，這是容錯雙量子比特門的關鍵特性。在少電子區使用磁共振的單自旋量子比特操作顯示弛豫時間在1T超過1s和相干時間超過3ms。
這項研究發表在《自然電子》（Nature Electronics）雜志上，是英特爾首次通過同行評審證明在300毫米硅上成功制造量子比特的研究。
該工藝使用全光光刻技術生產硅自旋量子比特，與生產英特爾CMOS芯片的設備相同。這是量子處理器向前邁出的關鍵一步，表明量子比特最終有可能在同一工業制造設施中與傳統芯片一起生產。
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