氧化鎵比碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）具有更大的帶隙能量，由這種材料制成的晶體管和二極管具有優異的功率器件特性，例如高擊穿電壓、高輸出和高效率（低損耗）。2021年6月16日，NCT公司宣布采用HVPE方法成功實現了氧化鎵4 英寸 (100mm) 晶圓量產。

　　盡管基于HVPE方法的原材料成本較低，并且提供了高純度的沉積，但目前的設備只能制造小直徑（2英寸或4英寸）的單晶圓。為了降低HVPE方法的外延沉積成本，需要能批量生產大直徑（6英寸或8英寸）晶圓的設備。

　　在NEDO的戰略節能技術創新項目“大直徑、批量生產下一代氧化鎵電力器件”中，NCT公司不僅開發了用于大批量生產氧化鎵晶圓和氧化鎵薄膜的外延沉積設備，還開發了金屬氯化物（HVPE方法的原材料）的外部供應技術，并建立和評估了6英寸單晶圓HVPE設備。NCT公司的最新成果將克服氧化鎵外延沉積的高成本問題，并極大地推動大直徑晶圓批量生產設備的發展。NCT公司計劃到2024年將氧化鎵外延沉積的大規模生產設備商業化。