航天產品的質量和壽命取決于產品設計、研制生產和試驗測試全流程的可靠性，而集成電路安全可靠是航天電子系統在軌穩定工作的基礎。現代集成電路制造流程中，工藝制造和設計環節均可引入芯片缺陷，在使用過程中可導致失效等。隨著芯片集成度的提高，芯片正面的金屬互連層不斷增加，倒封裝工藝得到廣泛應用，從芯片正面定位缺陷位置變得愈發困難。目前，利用激光從背部開封裝的芯片進行的非接觸式無損缺陷定位技術，在集成電路靜態/動態缺陷定位領域得到廣泛應用。熱激光定位（TLS）和電光頻率映射（EOFM）是兩種典型的非接觸式缺陷定位技術。TLS利用激光熱效應對半導體器件材料進行局部加熱，改變其電阻特性，實現靜態缺陷定位。EOFM利用器件內部處于不同動態工作狀態晶體管與入射激光的電光調制效應，通過接收反射光信號對電路進行頻域圖像分析，實現動態缺陷定位。隨著集成電路工藝的飛速進步，對缺陷分析定位的速度和靈敏度要求不斷提升，相應的TLS和EOFM理論模型和技術手段需要不斷優化發展，亟須發展該領域自主可控的測試裝置。