作為交通電氣化、智能能源分配和下一代通信的關鍵技術，電力電子技術有望幫助英國實現“綠色復蘇”和凈零增長。下一代電力電子技術將由硅向寬帶隙化合物半導體材料（氮化鎵、碳化硅和未來的氧化鎵）的轉變推動，這些材料在效率、重量和性能方面都具有巨大的優勢，與現有硅基解決方案相比，具有高頻和高溫性能。然而，它們對納米級材料缺陷的敏感性阻礙了其大規模推廣和商業應用。該項目將開發新的儀器、無損測量方法和商業標準，用于在材料和器件制造過程的多個層面上表征晶圓質量。

　　該項目由英國國家物理實驗室牽頭，與主要歐洲行業合作伙伴（英飛凌、IQE、Aixtron, CSC）以及其他國家計量機構和國際標準組織合作，支持歐洲化合物半導體供應鏈的發展。

　　CSC的GaN項目經理表示，在從開發到商業化的過渡過程中，計量往往被低估，但在擴展新的半導體技術時，有全面的計量來支持產量和成本控制是至關重要的。