流片即tape-out，在芯片設計領域指試生產，當電路設計完成以后，像流水線一樣通過一系列工藝步驟制造芯片，以供測試之用。 

　　報道稱，三星在3nm制程的流片進度是與新思科技（Synopsys）合作完成的。根據新思科技公告，其Synopsys Fusion設計平臺加速為GAA架構的生產流程提供高度優化參考方法，使其在功率和性能上均實現最大化。 

　　制程技術的物理設計套件（PDK）已在2019年5月發布，并2020年通過制程技術認證。媒體稱，預計此流程使三星3nm GAA結構制程技術用于高性能運算（HPC）、5G、行動和高階人工智能（AI）應用芯片生產。 

　　伴隨此次成功流片，三星3納米芯片大規模量產或已臨近。 

　　GAA FET：FinFET的繼任者 

　　專家稱，相比臺積電或英特爾所采用的3nm FinFET架構，在技術性能上，GAA架構的晶體管能夠提供比FinFET更好的靜電特性，可滿足某些柵極寬度的需求。 

　　對于場效應晶體管（Field Effect Transistor，FET）來說，決定其效率的一個重要因素就是柵極對通道的控制能力。 

　　自英特爾在22納米節點上首次采用FinFET架構以來，過去十年，FinFET一直是半導體器件的主流架構。與最初的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成的通道更容易控制。 

圖片來源：Lam Research

　　但是，雖然“鰭”的三面均受柵極控制，仍然有一側未被接觸。5納米節點之后，隨著柵極長度縮短，短溝道效應越發明顯，FinFET結構已經很難滿足晶體管所需的電流驅動和靜電控制能力，更多電流通過器件底部無接觸的部分泄露，漏電現象急劇惡化。 

　　隨著半導體技術繼續發展，晶體管尺寸要進一步縮小，就必須找到新的解決方案。 

　　基于此，GAA架構實現了柵極對通道之間的四面環繞，被廣泛認為是FinFET的繼任者。 

　　據Nerissa Draeger博士，GAA架構以納米薄片代替鰭片，不同于FinFET必須并排多個鰭片才能提高電流，GAA晶體管只需多垂直堆疊幾個納米薄片并讓柵極包裹通道就能夠獲得更強的載流能力。這使得同等尺寸結構下，GAA對通道控制能力強化，尺寸進一步微縮更具可能性。 

圖片來源：Lam Research

　　隨著芯片技術進步，薄片的寬度和間隔也會不斷縮減，納米薄片看起來會更像“納米線”，則溝道整個外輪廓都將被柵極完全包裹，代表柵極對溝道的控制性更好。 

　　角逐GAA舞臺 

　　新型晶體管方案已經受到多家半導體廠商青睞。 

　　在2019年的三星晶圓制造論壇上，三星就明確表示將會在3納米節點放棄鰭式結構，轉向全環繞柵極技術。去年臺積電第26屆技術研討會上，臺積電也正式宣布將在2納米節點引入全環繞柵極技術。 

　　而就在6月2日召開的2021年線上技術論壇上，臺積電剛剛宣布其3納米制程預計在2022年投入量產，并表示到那時，3納米將成為全球最先進的技術。 

　　目前，三星和臺積電是全球唯二能做到5納米制程以下的半導體晶圓代工廠，此番共同角逐GAA舞臺，較勁意味濃厚。 

　　三星代工設計技術團隊副總裁Sangyun Kim 表示，三星代工是推動下一階段產業創新的核心。三星將藉由不斷發展技術制程，滿足專業和廣泛市場增長的需求。 

　　新思科技數字設計部總經理ShankarKrishnamoorthy 也表示： 

　　GAA 晶體管結構象征著制程技術進步的關鍵轉折點，對保持下一波超大規模創新所需的策略至關重要。 

　　新思科技與三星戰略合作支持提供一流技術和解決方案，確保發展趨勢延續，以及為半導體產業提供機會。 

　　此外，英特爾雖仍然受困于7納米技術，其首席技術官麥克邁克·梅伯里博士也在今年的國際VLSI會議上稱，希望英特爾能在5年之內實現GAA晶體管的量產。