除了量產碳化硅（SiC）器件和各種功能豐富的硅器件外，ROHM還開發了在中等耐壓范圍具有出色的高頻工作性能的GaN器件，并且ROHM在其提高柵極-源極間額定電壓的技術的基礎上，一直致力于為各種應用提供更廣泛的電源解決方案。

　　與硅器件相比，GaN器件具有更低的導通電阻值和更優異的高速開關性能，因而在基站和數據中心等領域作為有助于降低各種開關電源的功耗并實現小型化的器件被寄予厚望。然而，GaN器件的柵極-源極間額定電壓較低，在開關工作期間可能會發生超過額定值的過沖電壓，所以在產品可靠性方面一直存在很大的問題。

　　ROHM使用獨創的結構成功地將柵極-源極間額定電壓從的6V提高到8V，這將提高電源電路的設計裕度和可靠性。此外，ROHM開發出一種專用封裝，不僅可以通過低寄生電感以最大限度地提高設備性能，并且還具有出色散熱能力，便于安裝，可以輕松更換現有的硅器件，簡化安裝過程中的操作。例如，可用于數據中心和基站的48V輸入降壓轉換器電路；基站功率放大器塊的升壓轉換器電路；D類音頻放大器；以及便攜式設備的光檢測和測距（LiDAR）驅動電路和無線充電電路。

　　ROHM正在加快基于該技術的 GaN 器件的開發，預計于2021年9月即可開始提供產品樣品。