瑞士日內(nèi)瓦的意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）在其MasterGaN平臺(tái)基礎(chǔ)上推出了MasterGaN2，MasterGaN2是新系列中的首款產(chǎn)品，其中包含兩個(gè)非對(duì)稱(chēng)氮化鎵（GaN）晶體管，可提供適用于軟開(kāi)關(guān)和有源整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)涞募蒅aN解決方案。

　　650V常關(guān)型GaN晶體管具有150mΩ和225mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS（on））。意法半導(dǎo)體表示與優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器結(jié)合在一起，使GaN技術(shù)易于使用，像制造普通硅器件一樣。通過(guò)將先進(jìn)的集成技術(shù)與GaN固有的性能優(yōu)勢(shì)相結(jié)合，MasterGaN2進(jìn)一步提高了器件效率，并使尺寸減小和重量減輕，例如有源鉗位反激式。

　　MasterGaN功率級(jí)封裝（SiP）系列在同一封裝中結(jié)合了兩個(gè)GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）和相關(guān)的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，并內(nèi)置了所有必要的保護(hù)機(jī)制。設(shè)計(jì)人員可以將外部設(shè)備直接連接到MasterGaN器件，外部設(shè)備包括霍爾傳感器和控制器，例如DSP、FPGA或微控制器。意法半導(dǎo)體表示，這些輸入與3.3V至15V的邏輯信號(hào)兼容，這有助于簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)和物料清單，以及簡(jiǎn)化組裝，可以實(shí)現(xiàn)更小的占位面積。這種集成有助于提高適配器和快速充電器的功率密度。

　　GaN技術(shù)正在推動(dòng)快速USB-PD適配器和智能手機(jī)充電器的發(fā)展。意法半導(dǎo)體認(rèn)為，MasterGaN器件可使這些器件的體積縮小到原來(lái)的80％，重量減輕到原來(lái)的70％，而充電速度是普通硅基解決方案的三倍。

　　內(nèi)置保護(hù)機(jī)制包括低側(cè)和高側(cè)欠壓鎖定（UVLO）、柵極驅(qū)動(dòng)器互鎖、專(zhuān)用停機(jī)引腳和過(guò)熱保護(hù)。9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝針對(duì)高壓應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，高壓和低壓焊盤(pán)之間的爬電距離超過(guò)2mm。

　　MasterGaN2現(xiàn)已開(kāi)始生產(chǎn)，訂購(gòu)1000片的最低價(jià)格為6.50美元。