歷史拾貝
中國科學院109廠階段（1958－1986年）之三
109廠研制開發成功系列低功耗TTL—F數字邏輯集成電路，提供給地面站使用。
1973年
109廠與北京建筑材料設計院、安徽蚌埠凈化設備廠聯合研制成功一套（共12種）潔凈度達100級的局部空氣凈化臺。該設備1974年投入使用。這是我國第一臺用于半導體器件生產的專用凈化設備。
1975年
109廠與中科院計算技術研究所合作，研制生產中國第一臺集成電路百萬次計算機（1025機，后命名為013機）所用的主要集成電路。013機的研制成功，迫使西方國家放寬了向中國出口百萬次計算機的限制。
8月，國務院、中央軍委以國發[1975] 128號文件下達了“757”工程任務。在“757”工程的攻關中，109廠建立了一套穩定而成熟的制造超高速集成電路工藝技術。
1978年
國家批準109廠引進價值1500萬美元的上百臺先進工藝、檢測和理化分析設備，并批準擴建凈化廠房（總建筑面積21000㎡，總投資8900萬元，后追加600萬元）。這兩項重大決策為微電子技術發展創造了良好的條件。
建設中的凈化廠房
“抗飽和TTL-E系列高速邏輯電路”、 “光刻技術設備的應用”、 “半導體集成電路生產線專用局部空氣凈化設備”、 “109乙晶體管通用數字電子計算機及其軟件系統”、 “ECL-D系列超高速邏輯電路”、 “低功耗TTL-F系列邏輯電路”等成果獲中科院重大科技成果獎。
同年，抗飽和TTL-E系列高速邏輯電路、ECL-D系列超高速邏輯電路、低功耗TTL-F系列邏輯電路、半導體集成電路生產線專用局部空氣凈化設備四項獨立完成成果以及013大型通用集成電路數字電子計算機及其軟件系統、109乙晶體管通用數字電子計算機及其軟件系統兩項合作完成成果榮獲全國科學大會成果獎。
6月，在757任務進入攻堅階段的時刻，中科院任命李德仲同志擔任109廠廠長。
李德仲同志
1979年
109廠自主設計研制成功4K位MOSDRAM，平均成品率達28％。
1980年
中科院調王守武院士兼任109廠廠長。
王守武院士
109廠自主設計研制成功16K位MOSDRAM。
12月，109廠為757計算機研制生產30余個品種，共30余萬塊ECL和TTL集成電路。
1982年
9月，“151電子計算機雙抗復合系統”獲國家科學技術委員會國家科學技術工作一等獎。
10月，“KHA75-1型半自動接近接觸式光刻機”獲第一機械工業部科技工作一等獎。
109廠設計研制成功64K位MOSDRAM。
1985年
109廠基本完成21000㎡超凈化廠房擴建工程，成為當時國內面積最大、條件最好、技術最先進的半導體開發和生產廠房。
3月，“大規模集成電路制造及測試設備”獲機械工業部嘉獎。
12月，經中科院決定，并報國家科委批復，109廠與半導體所、計算所有關研制大規模集成電路部分合并，成立中國科學院微電子中心，總規模為1140人。
1986年
3月，微電子中心遷至北京市朝陽區北土城西路3號，位于元大都遺址之畔。