成果展示
微電子所阻變存儲(chǔ)器最新研究成果被ESSDER會(huì)議錄用
我所劉明研究員領(lǐng)導(dǎo)的下一代非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器研究小組，最近在阻變存儲(chǔ)器（ReRAM）領(lǐng)域取得新的進(jìn)展，題為“Improvement of resistive switching properties in ZrO2-based ReRAM with implanted metal ions”的研究論文被歐洲固態(tài)電子器件會(huì)議（ESSDER）錄用，ESSDER是國際電子電氣工程師協(xié)會(huì)（IEEE）旗下關(guān)于微納電子學(xué)領(lǐng)域的最重要的會(huì)議之一。同時(shí)劉明研究員還被邀請擔(dān)任該會(huì)議的學(xué)術(shù)委員會(huì)委員，這表明我所下一代非揮發(fā)存儲(chǔ)器的研究工作再一次得到國際同行的認(rèn)可。
在ReRAM的研究中，三室存儲(chǔ)器小組把研究的注意力集中在材料組分簡單、制造工藝與CMOS兼容的二元金屬氧化物上，創(chuàng)新性地提出了采用摻雜的手段來改善二元金屬氧化物的電阻轉(zhuǎn)變特性，并取得的良好的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。研究表明通過調(diào)節(jié)二元氧化物中的雜質(zhì)類型和相關(guān)參量，可以人為的控制ReRAM的轉(zhuǎn)變特性，為ReRAM的實(shí)用化提供了一條技術(shù)手段。同時(shí)，該研究組深入開展了摻雜的二元氧化物材料的阻變機(jī)理的研究，也取得了較好的研究成果。目前，該研究組已在IEEE Electron Device letters，Applied Physics Letters，Journal of Applied Physics等高水平國際期刊上發(fā)表相關(guān)論文近十篇。
以上工作得到國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃（973計(jì)劃），中國高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃（863計(jì)劃），國家自然科學(xué)基金的支持。