成果展示
“氧化物阻變存儲(chǔ)器機(jī)理與性能調(diào)控”項(xiàng)目榮獲2016年國家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)
國家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)于2017年1月9日上午在北京人民大會(huì)堂隆重舉行。微電子所獨(dú)立完成的“氧化物阻變存儲(chǔ)器機(jī)理與性能調(diào)控”項(xiàng)目獲得2016年國家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)。
“氧化物阻變存儲(chǔ)器機(jī)理與性能調(diào)控”項(xiàng)目主要完成人為劉明、劉琦、管偉華、龍世兵、王艷。高性能存儲(chǔ)是信息技術(shù)的基礎(chǔ)，本項(xiàng)目針對(duì)新型氧化物阻變存儲(chǔ)技術(shù)中的基礎(chǔ)科學(xué)問題開展了系統(tǒng)研究，主要科學(xué)發(fā)現(xiàn)包括在納米尺度揭示了阻變機(jī)理、發(fā)現(xiàn)了功能層摻雜調(diào)控存儲(chǔ)性能的規(guī)律、提出了局域電場(chǎng)增強(qiáng)器件參數(shù)一致性的方法。8篇代表性論文和20篇主要論文分別被SCI他引750次、1158次，作為典型進(jìn)展被寫入15本著作和40篇綜述，成功研制了基于HfO2的1kb 阻變存儲(chǔ)器測(cè)試芯片，相關(guān)專利已授權(quán)/許可給中芯國際和武漢新芯。
