成果展示
微電子所國(guó)家創(chuàng)新研究群體項(xiàng)目順利通過結(jié)轉(zhuǎn)驗(yàn)收
近期，根據(jù)國(guó)家自然科學(xué)基金委信息科學(xué)部通知，微電子所劉明院士牽頭的“新型微電子器件集成的基礎(chǔ)研究”創(chuàng)新群體順利通過結(jié)轉(zhuǎn)檢查和評(píng)審。
“新型微電子器件集成的基礎(chǔ)研究”創(chuàng)新群體于2012年獲批為國(guó)家創(chuàng)新研究群體，2013—2015年展開第一期研究，在前瞻性基礎(chǔ)科學(xué)研究和部分研究成果轉(zhuǎn)化應(yīng)用方面成績(jī)顯著。期間完成了新型微電子材料和結(jié)構(gòu)、基于新型微電子器件的電路設(shè)計(jì)、集成加工技術(shù)及應(yīng)用等三個(gè)方面的計(jì)劃任務(wù)，建立了阻變存儲(chǔ)器（RRAM）的物理模型，提出了RRAM的基礎(chǔ)理論和關(guān)鍵技術(shù)方法，實(shí)現(xiàn)了高性能RRAM器件及其三維集成，在國(guó)際上產(chǎn)生了重要影響，多項(xiàng)工作被列入2013ITRS（國(guó)際半導(dǎo)體發(fā)展路線圖，被認(rèn)為是微電子技術(shù)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)）。拓展了新型閃存材料和結(jié)構(gòu)體系，提出了可靠性表征新技術(shù)、存儲(chǔ)和失效模型，為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了關(guān)鍵理論和技術(shù)。在企業(yè)生產(chǎn)線上開發(fā)了新型存儲(chǔ)材料/集成工藝/器件/可靠性/電路等成套技術(shù)，相關(guān)專利和技術(shù)已經(jīng)轉(zhuǎn)移到企業(yè)。
國(guó)家自然科學(xué)基金委檢查組于9月28日組織對(duì)“新型微電子器件集成的基礎(chǔ)研究”進(jìn)行了結(jié)轉(zhuǎn)檢查和評(píng)審，聽取了關(guān)于創(chuàng)新群體的研究背景、工作進(jìn)展及創(chuàng)新性成果、學(xué)術(shù)交流和人才培養(yǎng)等方面的工作匯報(bào)，審議了群體延期資助的理由，對(duì)該群體的研究成果給予肯定，一致建議對(duì)該群體給予延期資助，并對(duì)后續(xù)研究工作提出期望。
國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)副主任高文院士、信息科學(xué)部常務(wù)副主任秦玉文研究員、信息科學(xué)部副主任張兆田研究員，微電子所所長(zhǎng)葉甜春，副所長(zhǎng)劉新宇和吳德馨院士等參加了評(píng)審會(huì)。
評(píng)審會(huì)現(xiàn)場(chǎng)