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成果展示

有機器件低溫柔性薄膜封裝研究獲顯著進展

  近日,中國科學院微電子研究所微電子設(shè)備技術(shù)研究室(八室)劉鍵、劉杰、冷興龍、屈芙蓉等科研人員組成的有機電子柔性封裝課題組聯(lián)合中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所在有機電子器件低溫柔性薄膜封裝ICP-PECVD系統(tǒng)研究上取得顯著進展。

  有機電子器件具有輕、柔、薄等特色,有機電子產(chǎn)品市場前景廣闊,是當今國際研究熱點之一。有機電子器件金屬陰極及部分功能材料對水氧特別敏感,使得有機電子器件封裝特別是柔性封裝成為技術(shù)難點。具有有機/(過渡層)/無機交替結(jié)構(gòu)的柔性薄膜封裝是有機電子器件封裝的最佳選擇之一。柔性薄膜封裝要求封裝溫度低于120oC、有機/無機薄膜同源同室生長、封裝層水氧阻擋性強。

  針對上述要求,該研究團隊設(shè)計并研制了一套有機電子低溫柔性薄膜封裝ICP-PECVD系統(tǒng)。通過調(diào)節(jié)生長氣氛在相同的前驅(qū)體條件下分別實現(xiàn)有機、過渡、無機薄膜的同腔沉積。沉積時樣品臺溫度控制在80oC左右。沉積薄膜厚度均一,6寸硅片厚度均勻性達0.52%;沉積薄膜表面平整,薄膜表面粗糙度Ra可低至0.33nm;單個周期有機/無機交替結(jié)構(gòu)薄膜封裝層水汽滲透率達3.66×10-4g/m2/day(已超出北京印刷學院水氧滲透率測試儀10-4g/m2/day測試極限)。

圖1 ICP-PECVD系統(tǒng)

(a)            (b)             (c)

圖2有機、無機薄膜沉積前后6寸硅片照片

(a)沉積前,(b)無機,(c)有機

(a)           (b)

圖3 沉積前后PET照片

(a)沉積前,(b)沉積后

圖4 水汽滲透率測試結(jié)果