隨著DRAM制程不斷微縮，有源區鰭形結構的刻蝕形貌控制成為提升良率的關鍵瓶頸。產業界普遍觀察到wiggling AA效應，即鰭狀結構出現非均勻側壁與彎曲畸變，嚴重降低電容效率與器件可靠性。然而，其物理根源長期不明，缺乏系統的表征與機理模型，導致刻蝕工藝難以精準調控。

針對上述挑戰，中國科學院微電子研究所EDA中心陳睿研究員與先導中心李俊杰正高級工程師、聞靜高級工程師、維也納工業大學Lado Filipovic教授合作，創新性地將聚焦離子束掃描電子顯微鏡（FIB-SEM）三維重構技術與刻蝕工藝模型深度融合，結合不同工藝條件下刻蝕過程的仿真與實驗，揭示了wiggling AA效應的核心機理與調控機制。

研究成果近期在Nature工程領域子刊Communications Engineering發表，題為“3D reconstruction and etching profile simulation for wiggling active area effect in dynamic random access memory manufacturing”。微電子所博士研究生呼子義為論文的第一作者，微電子所陳睿研究員、李俊杰正高級工程師、維也納工業大學Lado Filipovic教授為共同通訊作者。該項研究得到了國家重點研發計劃青年科學家項目、國家自然科學基金面上項目、中國科學院國際伙伴計劃等項目支持。

論文鏈接：https://www.nature.com/articles/s44172-026-00626-3

圖1 三維刻蝕模型框架（左上）DRAM有源區鰭形結構的FIB-SEM三維重構結果（左下）與仿真結果（右）。