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微電子所在光刻膠模型校準研究方面取得重要進展

稿件來源:EDA中心 馬樂 發布時間:2024-04-24

近期微電子所EDA中心計算光刻團隊與騰訊量子實驗室,圍繞光刻膠模型校準的合作研究取得了重要進展。

針對當前光刻膠模型校準難題,團隊通過深入的理論和實驗研究,結合具體工藝條件,開發了基于機器學習的光刻膠模型校準貝葉斯優化方法。該方法能夠有效利用歷史數據對高斯代理模型的訓練,同時結合其它全局優化策略,穩定提升光刻膠模型的精確性并提高模型校準效率。實驗數據表明,新方法校準的光刻膠模型誤差比傳統方法降低了21.6%,耗時降低了80%以上。

本成果發表在期刊OPTICS EXPRESS上(DOI: 10.1364/OE.518770)。微電子所馬樂為第一作者,董立松副研究員和韋亞一研究員為共同通訊作者。騰訊量子實驗室的馬星宇、郝少剛為共同作者。

本次合作研究旨在研究人工智能、機器學習在計算光刻領域的應用,提高光刻膠模型準確性和效率,進而提高良率、推動半導體制造技術的發展。雙方將繼續緊密合作,致力于推進計算光刻仿真的研究。將繼續探索新的方法和技術,為計算光刻在半導體制造行業的應用創造更多的可能性。

騰訊量子實驗室于2018年初創建于深圳,著眼于計算科學研究布局,探索先進計算科技的發展,關注未來技術的商業應用實踐,為提升企業運營效率及效益提供技術助力。

文章鏈接:https://doi.org/10.1364/OE.518770

圖(a)光刻曝光條件和測試圖形;(b)在兩次實驗中各方法的耗時;(c)在訓練集和測試集的誤差分布

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