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MIT攜手斯坦福打造集成處理器和內存的3D芯片

稿件來源: 發布時間:2017-07-17

  為了追趕摩爾定律,麻省理工與斯坦福兩所大學的計算機科學家和電氣工程師們,攜手開發出了一種集成了內存和處理器、并采用碳納米管線來連接的3D計算芯片。該團隊制造了一臺小規模的碳納米管(CNT)計算機,它能夠運行程序、簡單的多任務操作系統、以及執行MIPS指令。項目領導人MaxShulaker相信,該技術能夠克服邏輯電路和內存之間的通訊瓶頸。   

  當前工程師們所面臨的一個問題,就是日益增長的處理器(或存儲)性能、與不斷往返的大量數據傳輸之間的矛盾。即使當前最快的CPURAM,仍受制于傳統的并行總線架構。   

  而斯坦福/麻省理工研究團隊的3D芯片,則交錯布置著邏輯與內存層。這項技術不僅已被證實可行,也從根本上改變了晶體管的裝配方式。   

  該芯片并未采用硅來制作晶體管,而是石墨烯;更確切的說,其中的碳納米管也是由石墨烯制造的——它們被稱作“碳納米管場效應晶體管”(CNFET),且在芯片上提供了邏輯層。   

  處理器上的其它層是“可變電阻式內存”(RRAM),它通過改變固體介質材料的電阻來工作。研究合著者H.-S.PhilipWong表示:“與DRAM相比,RRAM的密度、速度和能效都可以更高”。   

(來源:cnbeta        2017711日) 
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